INTERNATIONAL RECTIFIER(216 Treffer)
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I Love Tec von INTERNATIONAL RECTIFIER
Willkommen bei I-Love-Tec - Deutschlands großem Preisvergleich für Heimtechnik und Profiausstattung von Computern über Fernseher und Beamer bis hin zu Fotografie, Navigationsgeräten und Handys. Auf dieser Seite finden Sie Freizeit & Bauelemente und weitere Produkte von INTERNATIONAL RECTIFIER aus dem Angebot zahlreicher Online-Shops. Wollen Sie Stöbern und Neuheiten im Bereich der Technik entdecken, oder suchen Sie etwas ganz bestimmtes? Vielleicht finden Sie es in einem spezifischeren Bereich, beispielsweise unter Freizeit & Bauelemente von INTERNATIONAL RECTIFIER. Übrigens: Sie finden bei uns auf jeder Seite oben eine Reihe von Filtern, mit denen Sie ganz gezielt nach einzelnen Marken, Produkten in ausgewählten Farben, Technik innerhalb bestimmter Preiskategorien oder auch speziell nach reduzierten Rabattangeboten suchen können. Wir wünschen Ihnen viel Spaß beim Stöbern und Entdecken auf I-Love-Tec.de-3,0-Ohm,-TO-220AB-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013595.png "IRF 820 - MOSFET, N-CH, 500 V, 2,5 A, RDS(on) 3,0 Ohm, TO-220AB")
IRF820, Leistungs-MOSFETBESCHREIBUNGLeistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler...
MOSFET Treiber200V 3A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 16-Pin SOIC W
Anwendungen• hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS• unterbrechungsfreie Stromversorgung• hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil•...
Uds 200 V, Id25 9,3 A, Rds(on) 0,300 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 7,9 ns, td(off) 27 ns, TO-220. Technische...
-0,06-Ohm,-D2Pak-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159033886.png "IRF 5210S - MOSFET, P-Kanal, -100 V, -38 A, Rds(on) 0,06 Ohm, D2Pak")
Zu den Eigenschaften dieses Designs gehören eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 150°C, eine hohe...
-0,0118-Ohm,-D-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2158997886.png "IRFR 2405 - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 56 A, Rds(on) 0,0118 Ohm, D-PAK")
MOSFET Transistor N-Ch 55V 56A 3-Pin(2+Tab) D-PAK
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
Dieser N-Kanal-Silizium-Gate-Leistungsfeldtransistor im Anreicherungsmodus Leistungs-Feldeffekttransistor...
HEXFET Leistungs-MOSFET• Lade- und Entladeschalter für Notebook-PC Akku Anwendungen
Uds 30 V, Id25 78 A, Rds(on) 0,0048 Ω, Ugs(th) 1,35 V, td(on) 14 ns, td(off) 16 ns, TO-220. Technische...
MOSFET Treiber 600V 0.5A 1-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC
MOSFET Transistor N/P-Ch 25V 3,5A/2,3ASO-8
-0,042-Ohm,-D2-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013563.png "IRF 3415S - MOSFET, N-Kanal, 150 V, 43 A, Rds(on) 0,042 Ohm, D2-PAK")
MOSFET Transistor N-Ch 150V 43A 3-Pin(2+Tab)D2-PAK
-0,60R,-HVMDIP-4-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013610.png "IRFD 9120 - MOSFET, P-Kanal, -100 V, -1 A, RDS(on) 0,60R, HVMDIP-4")
BESCHREIBUNGDie Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Konstrukteur die beste Kombination...
MOSFET Transistor N/P-Ch 30V 4A/3ASO-8
Die fünfte Generation der HEXFETs von International Representative nutzt fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
-0,011-Ohm,-D2-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2158995997.png "IRF 1010NS - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 85 A, Rds(on) 0,011 Ohm, D2-PAK")
MOSFET Transistor N-Ch 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2-PAK
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
-0,15-Ohm,-D2-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013568.png "IRF 640NS - MOSFET, N-Kanal, 200 V, 18 A, RDS(on) 0,15 Ohm, D2-PAK")
IRF640NSPbF , HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von...
-0,063-Ohm,-SOT-23-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013641.png "IRLML 6346 - MOSFET, N-Kanal, 30 V, 3,47 A, RDS(on) 0,063 Ohm, SOT-23")
HEXFET Leistungs-MOSFETAnwendung:• Load/ System Switch
Uds 55 V, Id25 29 A, Rds(on) 0,04 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 7 ns, td(off) 31 ns, TO-220. Technische Daten:...
Uds 100 V, Id25 42 A, Rds(on) 0,036 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 11 ns, td(off) 45 ns, TO-247. Technische Daten:...
-0,0019-Ohm,-TO-220-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013635.png "IRLB 3036 IR - MOSFET, N-Kanal, 60 V, 270 A, Rds(on) 0,0019 Ohm, TO-220")
Anwendungen• DC-Motorantrieb• hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS• Unterbrechungsfreie Stromversorgung•...
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
-0,002-Ohm,-TO-220AB-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159020846.png "IRF 2804 - MOSFET, N-Kanal, 40 V, 75 A, RDS(on) 0,002 Ohm, TO-220AB")
IRF2804PbF, HEXFET Leistungs-MOSFETBeschreibungDieser speziell für Automotive-Anwendungen entwickelte...
Leistungs-MOSFET, P-Channel, 100 V, 23 A, 140 W, 0,117 Ω, TO-220AB.
MOSFET Treiber 600V 2.5A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 16-Pin SOIC W
-0,029-Ohm,-SOT-23-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013640.png "IRLML 6344 - MOSFET, N-Kanal, 30 V, 5 A, RDS(on) 0,029 Ohm, SOT-23")
HEXFET Leistungs-MOSFETAnwendung:• Load/ System Switch
-1,5-Ohm,-HD-1-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2158997207.png "IRFD 210 - MOSFET, N-Kanal, 200 V, 0,6 A, Rds(on) 1,5 Ohm, HD-1")
HEXFETs der dritten Generation von International Rectifier bieten dem Entwickler die beste Kombination...
BeschreibungDie IR2104(S) sind Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber mit...
MOSFET Transistor N-Ch 30V 6,5ASO-8
Uds 55 V, Id25 18 A, Rds(on) 0,060 Ω, Ugs(th) 1 V, td(on) 7,1 ns, td(off) 20 ns, TO-220. Technische Daten:...
HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der siebten Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche...
Dieser HEXFET® Leistungs-MOSFET wurde speziell für Anwendungen im Automobilbereich entwickelt. Leistungs-MOSFET...
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
-0,008-Ohm,-D2Pak-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013562.png "IRF 3205S - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 110 A, Rds(on) 0,008 Ohm, D2Pak")
Die fortschrittlichen HEXFET® Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
-0,18-Ohm,-D2-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013631.png "IRL 520NS - MOSFET, N-CH, 100 V, 10 A, RDS (on) 0,18 Ohm, D2-PAK")
HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der siebten Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche...
-0,027-Ohm,-D-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2158992659.png "IRFR 1205 - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 37 A, Rds(on) 0,027 Ohm, D-PAK")
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
MOSFET Transistor P-Ch 100V 6,6A 3-Pin(2+Tab)D-PAK
-0,028-Ohm,-D-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013644.png "IRLR 2908 - MOSFET, N-Kanal, 80 V, 39 A, Rds(on) 0,028 Ohm, D-PAK")
MOSFET Transistor N-Ch 80V 39A 3-Pin(2+Tab) D-PAK
-0,049-Ohm,-SO-8-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013580.png "IRF 7314 - Dual-MOSFET, P-Kanal, -20 V, -5,3 A, Rds(on) 0,049 Ohm, SO-8")
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
MOSFET Transistor N-Ch 20V 5,2ASO-8
HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der siebten Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche...
-0,014-Ohm,-TO-220AB-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159027365.png "IRFB 4710 - MOSFET, N-Kanal, 100 V, 75 A, RDS(on) 0,014 Ohm, TO-220AB")
IRFB4710PbF, HEXFET Leistungs-MOSFETVorteile• Niedrige Gate-to-Drain-Ladung zur Reduzierung der Schaltverluste-...
HEXFET Leistungs-MOSFETSTRONG IR FETAnwendung:• Motorantrieb• batteriebetriebene Schaltungen• Halb- und...
-2,2-Ohm,-TO-220AB-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013608.png "IRFBC 30 - MOSFET, N-Kanal, 600 V, 3,6 A, RDS(on) 2,2 Ohm, TO-220AB")
IRFBC30, Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die dritte Generation der Leistungs-MOSFETs von Vishay bietet dem...
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
Anwendungen• Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS• Unterbrechungsfreie Stromversorgung • Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil•...
-0,026-Ohm,-D-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2158998330.png "IRFR 2407 - MOSFET, N-Kanal, 75 V, 42 A, Rds(on) 0,026 Ohm, D-PAK")
MOSFET Transistor N-Ch 75V 42A 3-Pin(2+Tab) D-PAK
-0,007-Ohm,-SO-8-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159024464.png "IRF 7821 - MOSFET, N-Kanal, 30 V, 13,6 A, Rds(on) 0,007 Ohm, SO-8")
MOSFET Transistor N-Ch 30V 13,6ASO-8
-0,185-Ohm,-D-Pak-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159018912.png "IRLR 120N - MOSFET, N-Kanal, 100 V, 10 A, Rds(on) 0,185 Ohm, D-Pak")
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
MOSFET Transistor N-Ch 55V 2,8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Leistungs-MOSFET, P-Channel, 55 V, 31 A, 110 W, 0,06 Ω, TO-220AB.
Anwwendungen• hochfrequenz-Synchron-Abwärtswandler• wandler für die Stromversorgung von Computerprozessoren•...
Uds 55 V, Id25 64 A, Rds(on) 0,014 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 12 ns, td(off) 34 ns, TO-220. Technische Daten:...
MOSFET Transistor N-Ch 100V 17A 3-Pin(2+Tab)D2-PAK
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
Der IR 2183S ist ein High-Speed-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber mit abhängigen Ausgangskanälen. Die...
Dieser HEXFET® Leistungs-MOSFET wurde speziell für Anwendungen im Automobilbereich entwickelt. Leistungs-MOSFET...
-0,044-Ohm,-D2-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013569.png "IRF 540NS - MOSFET, N-Kanal, 100 V, 33 A, RDS(on) 0,044 Ohm, D2-PAK")
HEXFET® Power MOSFETFeatures:Advanced Process TechnologyUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt Rating175°C...
HEXFETs der dritten Generation von International Rectifier bieten dem Entwickler die beste Kombination...
Leistungs-MOSFET, N-Channel, 60 V, 2,5 A, 1,3 W, 0,1 Ω, DIP4.
Uds 55 V, Id25 19 A, Rds(on) 0,100 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 13 ns, td(off) 30 ns, TO-220. Technische Daten:...
MOSFET Transistor N/P-Ch 30V 3,5A/2,3A SO-8
-0,0135-Ohm,-D-Pak-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013645.png "IRLR 2905Z IR - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 42 A, RDS(on) 0,0135 Ohm, D-Pak")
IRLR2905ZPbF, IRLU2905ZPbF, HEXFET® Leistungs-MOSFETAllgemeine BeschreibungDieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET...
MOSFET Transistor N-Ch 55V 75A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB
MOSFET Transistor N-Ch 20V 6,6ASO-8
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
MOSFET Transistor N/P-Ch 55V 4,7A/3,4ASO-8
20V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET SO-8-GehäuseMerkmale:- RoHS-konform• Niedriges RDS(on)• Branchenführende...
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
-0,175-Ohm,-TO-251AA-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013626.png "IRFU 9024N - MOSFET, P-Kanal, -55 V, -11 A, RDS(on) 0,175 Ohm, TO-251AA")
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
MOSFET Transistor N-Ch 30V 13ASO-8
-0,105-Ohm,-D-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013643.png "IRLR 3410 - MOSFET, N-Kanal, 100 V, 17 A, Rds(on) 0,105 Ohm, D-PAK")
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 17 A, 70 W, 0,09 Ω, TO-220AB.
Uds 40 V, Id25 120 A, Rds(on) 0,0025 Ω, Ugs(th) 2,2 V, td(on) 24 ns, td(off) 115 ns, TO-220. Technische...
-0,0082-Ohm,-SO-8-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159033916.png "IRF 7425 - MOSFET, P-Kanal, -20 V, -15 A, Rds(on) 0,0082 Ohm, SO-8")
MOSFET Transistor P-Ch 20V 15ASO-8
-0,0046-Ohm,-TO-220AB-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013600.png "IRFB 3307Z - MOSFET N-Kanal, 75 V, 120 A, RDS(on) 0,0046 Ohm, TO-220AB")
HEXFET-Leistungs-MOSFETAnwendungenHocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPSUnterbrechungsfreie...
HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibungDie HEXFET®-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier...
Uds 100 V, Id25 57 A, Rds(on) 0,023 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 12 ns, td(off) 45 ns, TO-220. Technische Daten:...
Uds 60 V, Id25 120 A, Rds(on) 0,0042 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 15 ns, td(off) 40 ns, TO-247. Technische...
Power MOSFETFEATURES• Dynamic dV/dt Rating• Repetitive Avalanche Rated• Surface Mount (IRFR110, SiHFR110)•...
HEXFET® Power MOSFETAdvanced Process TechnologyUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt Rating175°C Operating...
-0,0048-Ohm,-TO-220-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013603.png "IRFB 4310Z - MOSFET, N-Kanal, 100 V, 120 A, Rds(on) 0,0048 Ohm, TO-220")
Anwendungen• hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS• ununterbrochene Stromversorgung• Leistungsschaltung...
HEXFETs der dritten Generation von International Rectifier bieten dem Entwickler die beste Kombination...
-0,00195-Ohm,-TO-220-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159021762.png "IRLB 3813 IR - MOSFET, N-Kanal, 30 V, 260 A, RDS(on) 0,00195 Ohm, TO-220")
HEXFET Leistungs-MOSFETVorteile:• Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5V VGS• Ultra-niedrige Gate-Impedanz•...
Der IR 2112S ist ein Hochspannungs- , High-Speed-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber mit unabhängigen Ausgangskanälen.Gehäuse:...
Uds 100 V, Id25 10 A, Rds(on) 0,180 Ω, Ugs(th) 1 V, td(on) 4 ns, td(off) 23 ns, TO-220. Technische Daten:...
HEXFET Power MOSFETUltra Low On-ResistanceSurface MountAdvanced Process TechnologyFast switchingFully...
Leistungs-MOSFET, P-Channel, 55 V, 74 A, 200 W, 0,02 Ω, TO-220AB.
MOSFET Transistor N-Ch 55V 27A 3-Pin(2+Tab) D-PAK
Uds 200 V, Id25 65 A, Rds(on) 0,025 Ω, Ugs(th) 3 V, td(on) 33 ns, td(off) 21 ns, TO-247. Technische Daten:...
Power MOSFETFEATURES• Dynamic dV/dt rating• Repetitive avalanche rated• Surface mount (IRFR420, SiHFR420)•...
Uds 200 V, Id25 50 A, Rds(on) 0,040 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 17 ns, td(off) 55 ns, TO-247. Technische Daten:...
-0,007-Ohm,-SO-8-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159030428.png "IRF 7410 - MOSFET, P-Kanal, -12 V, -16 A, RDS(on) 0,007 Ohm, SO-8")
HEXFET Power MOSFETBeschreibung:Diese P-Kanal-HEXFETPower-MOSFETs von International Rectifier verwenden...
-3,6-Ohm,-TO-220AB-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013575.png "IRF 710 - MOSFET, N-Kanal, 400 V, 2 A, RDS(on) 3,6 Ohm, TO-220AB")
IRF710, Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die dritte Generation der Leistungs-MOSFETs von Vishay bietet dem...
Uds 200 V, Id25 30 A, Rds(on) 0,075 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 14 ns, td(off) 41 ns, TO-247. Technische Daten:...
Leistungs-MOSFET, P-Channel, 100 V, 6,8 A, 48 W, 0,48 Ω, TO-220AB.