INTERNATIONAL RECTIFIER(212 Treffer)
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-3,0-Ohm,-TO-220AB-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013595.png "IRF 820 - MOSFET, N-CH, 500 V, 2,5 A, RDS(on) 3,0 Ohm, TO-220AB")
IRF820, Leistungs-MOSFETBESCHREIBUNGLeistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler...
MOSFET Treiber200V 3A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 16-Pin SOIC W
Anwendungen• hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS• unterbrechungsfreie Stromversorgung• hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil•...
Uds 200 V, Id25 9,3 A, Rds(on) 0,300 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 7,9 ns, td(off) 27 ns, TO-220. Technische...
-0,06-Ohm,-D2Pak-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159033886.png "IRF 5210S - MOSFET, P-Kanal, -100 V, -38 A, Rds(on) 0,06 Ohm, D2Pak")
Zu den Eigenschaften dieses Designs gehören eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 150°C, eine hohe...
-0,0118-Ohm,-D-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2158997886.png "IRFR 2405 - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 56 A, Rds(on) 0,0118 Ohm, D-PAK")
MOSFET Transistor N-Ch 55V 56A 3-Pin(2+Tab) D-PAK
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
Dieser N-Kanal-Silizium-Gate-Leistungsfeldtransistor im Anreicherungsmodus Leistungs-Feldeffekttransistor...
HEXFET Leistungs-MOSFET• Lade- und Entladeschalter für Notebook-PC Akku Anwendungen
Uds 30 V, Id25 78 A, Rds(on) 0,0048 Ω, Ugs(th) 1,35 V, td(on) 14 ns, td(off) 16 ns, TO-220. Technische...
MOSFET Treiber 600V 0.5A 1-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC
N-Channel, 40 V, 75 A, 300 W, 0,002 Ω, TO-220AB.
MOSFET Transistor N/P-Ch 25V 3,5A/2,3ASO-8
-0,042-Ohm,-D2-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013563.png "IRF 3415S - MOSFET, N-Kanal, 150 V, 43 A, Rds(on) 0,042 Ohm, D2-PAK")
MOSFET Transistor N-Ch 150V 43A 3-Pin(2+Tab)D2-PAK
-0,60R,-HVMDIP-4-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013610.png "IRFD 9120 - MOSFET, P-Kanal, -100 V, -1 A, RDS(on) 0,60R, HVMDIP-4")
BESCHREIBUNGDie Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Konstrukteur die beste Kombination...
MOSFET Transistor N/P-Ch 30V 4A/3ASO-8
Die fünfte Generation der HEXFETs von International Representative nutzt fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
-0,011-Ohm,-D2-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2158995997.png "IRF 1010NS - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 85 A, Rds(on) 0,011 Ohm, D2-PAK")
MOSFET Transistor N-Ch 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2-PAK
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
-0,15-Ohm,-D2-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013568.png "IRF 640NS - MOSFET, N-Kanal, 200 V, 18 A, RDS(on) 0,15 Ohm, D2-PAK")
IRF640NSPbF , HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von...
-0,063-Ohm,-SOT-23-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013641.png "IRLML 6346 - MOSFET, N-Kanal, 30 V, 3,47 A, RDS(on) 0,063 Ohm, SOT-23")
HEXFET Leistungs-MOSFETAnwendung:• Load/ System Switch
Uds 55 V, Id25 29 A, Rds(on) 0,04 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 7 ns, td(off) 31 ns, TO-220. Technische Daten:...
Uds 100 V, Id25 42 A, Rds(on) 0,036 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 11 ns, td(off) 45 ns, TO-247. Technische Daten:...
-0,0019-Ohm,-TO-220-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013635.png "IRLB 3036 IR - MOSFET, N-Kanal, 60 V, 270 A, Rds(on) 0,0019 Ohm, TO-220")
Anwendungen• DC-Motorantrieb• hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS• Unterbrechungsfreie Stromversorgung•...
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
-0,002-Ohm,-TO-220AB-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159020846.png "IRF 2804 - MOSFET, N-Kanal, 40 V, 75 A, RDS(on) 0,002 Ohm, TO-220AB")
IRF2804PbF, HEXFET Leistungs-MOSFETBeschreibungDieser speziell für Automotive-Anwendungen entwickelte...
Leistungs-MOSFET, P-Channel, 100 V, 23 A, 140 W, 0,117 Ω, TO-220AB.
MOSFET Treiber 600V 2.5A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 16-Pin SOIC W
-0,029-Ohm,-SOT-23-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013640.png "IRLML 6344 - MOSFET, N-Kanal, 30 V, 5 A, RDS(on) 0,029 Ohm, SOT-23")
HEXFET Leistungs-MOSFETAnwendung:• Load/ System Switch
-1,5-Ohm,-HD-1-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2158997207.png "IRFD 210 - MOSFET, N-Kanal, 200 V, 0,6 A, Rds(on) 1,5 Ohm, HD-1")
HEXFETs der dritten Generation von International Rectifier bieten dem Entwickler die beste Kombination...
BeschreibungDie IR2104(S) sind Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber mit...
MOSFET Transistor N-Ch 30V 6,5ASO-8
Uds 55 V, Id25 18 A, Rds(on) 0,060 Ω, Ugs(th) 1 V, td(on) 7,1 ns, td(off) 20 ns, TO-220. Technische Daten:...
HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der siebten Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche...
Dieser HEXFET® Leistungs-MOSFET wurde speziell für Anwendungen im Automobilbereich entwickelt. Leistungs-MOSFET...
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
-0,008-Ohm,-D2Pak-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013562.png "IRF 3205S - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 110 A, Rds(on) 0,008 Ohm, D2Pak")
Die fortschrittlichen HEXFET® Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
-0,18-Ohm,-D2-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013631.png "IRL 520NS - MOSFET, N-CH, 100 V, 10 A, RDS (on) 0,18 Ohm, D2-PAK")
HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der siebten Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche...
-0,027-Ohm,-D-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2158992659.png "IRFR 1205 - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 37 A, Rds(on) 0,027 Ohm, D-PAK")
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
MOSFET Transistor P-Ch 100V 6,6A 3-Pin(2+Tab)D-PAK
-0,028-Ohm,-D-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013644.png "IRLR 2908 - MOSFET, N-Kanal, 80 V, 39 A, Rds(on) 0,028 Ohm, D-PAK")
MOSFET Transistor N-Ch 80V 39A 3-Pin(2+Tab) D-PAK
-0,049-Ohm,-SO-8-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013580.png "IRF 7314 - Dual-MOSFET, P-Kanal, -20 V, -5,3 A, Rds(on) 0,049 Ohm, SO-8")
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
MOSFET Transistor N-Ch 20V 5,2ASO-8
HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der siebten Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche...
-0,014-Ohm,-TO-220AB-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159027365.png "IRFB 4710 - MOSFET, N-Kanal, 100 V, 75 A, RDS(on) 0,014 Ohm, TO-220AB")
IRFB4710PbF, HEXFET Leistungs-MOSFETVorteile• Niedrige Gate-to-Drain-Ladung zur Reduzierung der Schaltverluste-...
HEXFET Leistungs-MOSFETSTRONG IR FETAnwendung:• Motorantrieb• batteriebetriebene Schaltungen• Halb- und...
-2,2-Ohm,-TO-220AB-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013608.png "IRFBC 30 - MOSFET, N-Kanal, 600 V, 3,6 A, RDS(on) 2,2 Ohm, TO-220AB")
IRFBC30, Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die dritte Generation der Leistungs-MOSFETs von Vishay bietet dem...
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
Anwendungen• Hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS• Unterbrechungsfreie Stromversorgung • Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil•...
-0,026-Ohm,-D-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2158998330.png "IRFR 2407 - MOSFET, N-Kanal, 75 V, 42 A, Rds(on) 0,026 Ohm, D-PAK")
MOSFET Transistor N-Ch 75V 42A 3-Pin(2+Tab) D-PAK
-0,007-Ohm,-SO-8-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159024464.png "IRF 7821 - MOSFET, N-Kanal, 30 V, 13,6 A, Rds(on) 0,007 Ohm, SO-8")
MOSFET Transistor N-Ch 30V 13,6ASO-8
-0,185-Ohm,-D-Pak-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159018912.png "IRLR 120N - MOSFET, N-Kanal, 100 V, 10 A, Rds(on) 0,185 Ohm, D-Pak")
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
MOSFET Transistor N-Ch 55V 2,8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Leistungs-MOSFET, P-Channel, 55 V, 31 A, 110 W, 0,06 Ω, TO-220AB.
Anwwendungen• hochfrequenz-Synchron-Abwärtswandler• wandler für die Stromversorgung von Computerprozessoren•...
Uds 55 V, Id25 64 A, Rds(on) 0,014 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 12 ns, td(off) 34 ns, TO-220. Technische Daten:...
MOSFET Transistor N-Ch 100V 17A 3-Pin(2+Tab)D2-PAK
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
Der IR 2183S ist ein High-Speed-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber mit abhängigen Ausgangskanälen. Die...
Dieser HEXFET® Leistungs-MOSFET wurde speziell für Anwendungen im Automobilbereich entwickelt. Leistungs-MOSFET...
-0,044-Ohm,-D2-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013569.png "IRF 540NS - MOSFET, N-Kanal, 100 V, 33 A, RDS(on) 0,044 Ohm, D2-PAK")
HEXFET® Power MOSFETFeatures:Advanced Process TechnologyUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt Rating175°C...
HEXFETs der dritten Generation von International Rectifier bieten dem Entwickler die beste Kombination...
Leistungs-MOSFET, N-Channel, 60 V, 2,5 A, 1,3 W, 0,1 Ω, DIP4.
Uds 55 V, Id25 19 A, Rds(on) 0,100 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 13 ns, td(off) 30 ns, TO-220. Technische Daten:...
MOSFET Transistor N/P-Ch 30V 3,5A/2,3A SO-8
-0,0135-Ohm,-D-Pak-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013645.png "IRLR 2905Z IR - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 42 A, RDS(on) 0,0135 Ohm, D-Pak")
IRLR2905ZPbF, IRLU2905ZPbF, HEXFET® Leistungs-MOSFETAllgemeine BeschreibungDieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET...
MOSFET Transistor N-Ch 55V 75A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB
MOSFET Transistor N-Ch 20V 6,6ASO-8
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
MOSFET Transistor N/P-Ch 55V 4,7A/3,4ASO-8
20V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET SO-8-GehäuseMerkmale:- RoHS-konform• Niedriges RDS(on)• Branchenführende...
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
-0,175-Ohm,-TO-251AA-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013626.png "IRFU 9024N - MOSFET, P-Kanal, -55 V, -11 A, RDS(on) 0,175 Ohm, TO-251AA")
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
MOSFET Transistor N-Ch 30V 13ASO-8
-0,105-Ohm,-D-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013643.png "IRLR 3410 - MOSFET, N-Kanal, 100 V, 17 A, Rds(on) 0,105 Ohm, D-PAK")
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
Uds 75 V, Id25 82 A, Rds(on) 0,013 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 13 ns, td(off) 49 ns, TO-220. Technische Daten:...
Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 17 A, 70 W, 0,09 Ω, TO-220AB.
Uds 40 V, Id25 120 A, Rds(on) 0,0025 Ω, Ugs(th) 2,2 V, td(on) 24 ns, td(off) 115 ns, TO-220. Technische...
-0,0082-Ohm,-SO-8-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159033916.png "IRF 7425 - MOSFET, P-Kanal, -20 V, -15 A, Rds(on) 0,0082 Ohm, SO-8")
MOSFET Transistor P-Ch 20V 15ASO-8
-0,0046-Ohm,-TO-220AB-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013600.png "IRFB 3307Z - MOSFET N-Kanal, 75 V, 120 A, RDS(on) 0,0046 Ohm, TO-220AB")
HEXFET-Leistungs-MOSFETAnwendungenHocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPSUnterbrechungsfreie...
HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibungDie HEXFET®-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier...
Uds 100 V, Id25 57 A, Rds(on) 0,023 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 12 ns, td(off) 45 ns, TO-220. Technische Daten:...
Uds 60 V, Id25 120 A, Rds(on) 0,0042 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 15 ns, td(off) 40 ns, TO-247. Technische...
Power MOSFETFEATURES• Dynamic dV/dt Rating• Repetitive Avalanche Rated• Surface Mount (IRFR110, SiHFR110)•...
HEXFET® Power MOSFETAdvanced Process TechnologyUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt Rating175°C Operating...
-0,0048-Ohm,-TO-220-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013603.png "IRFB 4310Z - MOSFET, N-Kanal, 100 V, 120 A, Rds(on) 0,0048 Ohm, TO-220")
Anwendungen• hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS• ununterbrochene Stromversorgung• Leistungsschaltung...
HEXFETs der dritten Generation von International Rectifier bieten dem Entwickler die beste Kombination...
-0,00195-Ohm,-TO-220-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159021762.png "IRLB 3813 IR - MOSFET, N-Kanal, 30 V, 260 A, RDS(on) 0,00195 Ohm, TO-220")
HEXFET Leistungs-MOSFETVorteile:• Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5V VGS• Ultra-niedrige Gate-Impedanz•...
Der IR 2112S ist ein Hochspannungs- , High-Speed-Leistungs-MOSFET und IGBT-Treiber mit unabhängigen Ausgangskanälen.Gehäuse:...
Uds 100 V, Id25 10 A, Rds(on) 0,180 Ω, Ugs(th) 1 V, td(on) 4 ns, td(off) 23 ns, TO-220. Technische Daten:...
HEXFET Power MOSFETUltra Low On-ResistanceSurface MountAdvanced Process TechnologyFast switchingFully...
Leistungs-MOSFET, P-Channel, 55 V, 74 A, 200 W, 0,02 Ω, TO-220AB.
MOSFET Transistor N-Ch 55V 27A 3-Pin(2+Tab) D-PAK
Uds 200 V, Id25 65 A, Rds(on) 0,025 Ω, Ugs(th) 3 V, td(on) 33 ns, td(off) 21 ns, TO-247. Technische Daten:...
Power MOSFETFEATURES• Dynamic dV/dt rating• Repetitive avalanche rated• Surface mount (IRFR420, SiHFR420)•...
Uds 200 V, Id25 50 A, Rds(on) 0,040 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 17 ns, td(off) 55 ns, TO-247. Technische Daten:...
-0,007-Ohm,-SO-8-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159030428.png "IRF 7410 - MOSFET, P-Kanal, -12 V, -16 A, RDS(on) 0,007 Ohm, SO-8")
HEXFET Power MOSFETBeschreibung:Diese P-Kanal-HEXFETPower-MOSFETs von International Rectifier verwenden...
-3,6-Ohm,-TO-220AB-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013575.png "IRF 710 - MOSFET, N-Kanal, 400 V, 2 A, RDS(on) 3,6 Ohm, TO-220AB")
IRF710, Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die dritte Generation der Leistungs-MOSFETs von Vishay bietet dem...