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I Love Tec von CDIL
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Transistor 2SC 1213 NPN 35V 0,5A TO-92

Gehäuse: TO-92

Kollektor-Emitter-Spannung: 45 VEmitter-Base-Spannung: 5VKollektorstrom: 0,2 AVerslustleistung @ Tamb...

BC108C ist ein bipolarer 25V-NPN-Planar-Epitaxial-Siliziumtransistor für universelle Verstärker oder...

NPN-Allzwecktransistoren, besonders geeignet für den Einsatz in Treiberstufen von Audioverstärkern, rauscharmen...

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SMD-Zenerdiode Serie BZX 84Marking: Z3Gehäuse: SOT 23Technische Merkmaleperiodischer Durchlass-Spitzenstrom:...

Kollektor-Emitter-Spannung: -30 VKollektor-Base-Spannung: -50 VEmitter-Base-Spannung: -5 VKollektorstrom:...

Speziell für rauscharme NF-Verstärkerstufen. Kompl. = Bc179C Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung:...

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SMD-Zenerdiode BZX 84Gehäuse: SOT 23

Schaltung und Verstärker• hohe Spannung: BC556, VCEO= -65V• geringes Rauschen: BC559, BC560• Ergänzung...

SMD-Super Fast Gleichrichterdioden 2A

BC108C ist ein bipolarer 25V-NPN-Planar-Epitaxial-Siliziumtransistor für universelle Verstärker oder...

BeschreibungDie CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2219 und 2N2219A sind Silizium-NPN-Transistoren, die nach dem...

Planar Epitaxial Schaltdiode, DO35, 100V, 0,15A

1,5A Positivregler• Gehäuse: TO-3

Beschreibung• NPN-Transistor mittlerer Leistung in einem TO-39-MetallgehäuseEigenschaften• niedriger...

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Transistor 2SC 2073 NPN 150V 1,5A TO-220

2SA 673

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Für NF-Verstärker- und Schaltanwendungen, kompl.=2 N3906 Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung:...

Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung: 40 V Kollektor-Basis-Spannung:...

Gehäuse: SOT-32

Gehäuse: TO-92
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ZenerdiodeGehäuse: DO-204AF (DO-29) / 17-02 / 017AA

Gehäuse: SOT-23

Technische Daten: Polung: NPN Gehäuse: To92 U-max: 45V I-max: 0,1A P-max: 0,5W

Silizium-Diac DB3 Bidirektionale Trigger-Dioden DB3Passiviertes PNPN-Gerät aus Glas im axialen Gehäuse.Beschreibung:Als...

Gehäuse: SOT-32

BeschreibungDie 2N1613 und 2N1711 sind planare epitaktische Silizium-NPN-Transistoren im TO-39 Metallgehäuse...

Die gegen elektrostatische Aufladung empfindlichen Elemente werden sorgfältig in einer speziellen ESD-Zone...

Gehäuse: TO-92

Kollektor-Emitter-Spannung: -180 VKollektor-Base-Spannung: -180 VEmitter-Base-Spannung: -6 VKollektorstrom:...

Transistor 2SC 2240 NPN 120V 0,1A TO-92hFE Ausführung: GR

Eigenschaften• diese Geräte sind Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei und RoHSC-konform

Typische Anwendungen• signalverarbeitung• Schalten• Verstärken• StandardausführungBesonderheiten• Universell...

Darlingtontransistor für NF-Verstärker- und Schaltanwendungen. Kompl. = Bd679 Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung:...

BeschreibungDer 2N4033 ist ein Silizium Planar Epitaxial PNP Transistor im primären TO-39 Metallgehäuse...

BeschreibungBIC 177, BC 178 und BC 179 sind epitaktische PNP-Silizium-Planartransistoren im TO 18-Gehäuse...

hFE: 200 – 400Kollektor-Base-Spannung: 60 VKollektor-Emitter-Spannung: 50 VEmitter-Base-Spannung: 5VKollektorstrom:...

Gehäuse: TO-92

Gehäuse: SOT-32

Gehäuse: TO-92

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Kunststoff-Silizium-NPN-Darlingtons mittlerer LeistungDiese Serie von Silizium-NPN-Darlington-Transistoren...

Schaltung und Verstärker• hohe Spannung: BC556, VCEO= -65V• geringes Rauschen: BC559, BC560• Ergänzung...

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Der BC107B ist ein bipolarer Einzeltransistor (BJT) mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 45 V bei...

period. Durchlass-Spitzenstrom: 2 AGesamtverlustleistung: 0,15 WBetriebstemperatur: -40 -125 °C

Gehäuse: SOT-23

Transistor 2SC 1815 NPN 50V 0,15A TO-92

SMD-Zenerdiode BZX 84Gehäuse: SOT 23

Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen. Kompl. = Bd136-16 Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung:...

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Transistor 2SC 1008 NPN 80V 0,7A TO-92

Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen. Kompl. = Bc546A Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung:...

Kollektor-Emitter-Spannung: 50 VKollektor-Base-Spannung: 60 VEmitter-Base-Spannung: 6 VKollektorstrom:...

Gehäuse: SOT-32

Gehäuse: SOT-23

SMD-Zenerdiode BZX 84Gehäuse: SOT 23

Kollektor-Emitter-Spannung: 45 VEmitter-Base-Spannung: 6 VKollektorstrom: 0,1 AVerlustleistung @Ta=25...

PNP-Silizium-SchalttransistorDiese Familie von 2N2904- und 2N2905A-Schalttransistoren ist militärisch...

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Gehäuse: SOT-23

Kollektor-Emitter-Spannung: -45 VEmitter-Base-Spannung: -5 VKollektorstrom: -0,2 AVerlustleistung @Ta=25...

ZenerdiodeGehäuse: SOD-27

2SA 970hFE Ausführung: GR

Eigenschaften• Durchgangsloch-Paket• 150°C Sperrschichttemperatur• Gehäuse-Material: Geformter Kunststoff....

Absolute HöchstwerteTemperaturen• Lagertemperatur...-65° bis 200°C• Temperatur am Betriebsübergang...200°CVerlustleistung...

Merkmale• hoher Strom• hohe Verlustleistung• zwei Stromverstärkungsstufen wählbarAnwendungen• lineare...

Kollektor-Emitter-Spannung: 45 VEmitter-Base-Spannung: 7 VKollektorstrom: 0,2 AVerlustleistung @Ta=25...

Technische Daten: Polung: NPN Gehäuse: To92 U-max: 45V I-max: 0,1A P-max: 0,5W

ZenerdiodeGehäuse: DO-204AF (DO-29) / 17-02 / 017AA

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SMD-Super Fast Gleichrichterdioden 2A

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Typische Anwendungen• Signalverarbeitung• Schalten• Verstärken• Standardausführung• Suffix -Q: AEC-Q101...

Gehäuse: SOT-223

Gleichrichterdiode, DO5, 400V, 0,5A

Eigenschaften• hoher Strom (max. 1 A)• niedrige Spannung (max. 80 V)Anwendungen• Treiberstufen von Audio-/Video-VerstärkernBeschreibung•...

NPN-Silizium-NF-Transistor• für allgemeine AF-Anwendungen• hoher Kollektorstrom• hohe Stromverstärkung-...

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Eigenschaften• Schalt- und Verstärkeranwendungen• Ergänzung zu BC637• diese Bauteile sind Pb-frei, halogenfrei/BFR-frei...

Gehäuse: TO-92
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Ultrakurzzeit-Leistungsgleichrichter für OberflächenmontageDO-214AB(SMC)Alternative für MURS360T3G /...

Kollektor-Emitter-Spannung: 80 VKollektor-Base-Spannung: 80 VEmitter-Base-Spannung: 4 VKollektorstrom:...

Universalverstärker und SchalterTechnische Merkmale• VCE: 30 V• VCB: 60 V• VEB: 5 V• Verlustleistung:...

Eigenschaften:• hoher Strom (max. 1 A)• niedrige Spannung (max. 60 V)Anwendungen• allgemeines Schalten...

BeschreibungDie 2N3439 und 2N3440 sind epitaktische Silizium planare NPN-Transistoren im TO-39 Metallgehäuse...

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SMD-Super Fast Gleichrichterdioden 3A

Gehäuse: TO-220

Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen. Kompl. = Bc556C Technische Daten: Kollektor-Emitter-Spannung:...

Kollektor-Emitter-Spannung: -45 VKollektor-Base-Spannung: -50 VEmitter-Base-Spannung: -5VKollektorstrom:...

Gehäuse: TO-92

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BeschreibungDies ist ein Silizium-NPN-Transistor in einem TO-39-Gehäuse, der hauptsächlich für Verstärker-...