Freizeit & Bauelemente von INFINEON(145 Treffer)
Freizeit & Bauelemente
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INFINEON - Angebote zu Freizeit & Bauelemente zum Vergleichen und Entdecken
Herzlich willkommen auf der Seite für Freizeit & Bauelemente bei I-Love-Tec.de. Auf dieser Seite finden Sie das gebündelte Angebot zahlreicher Elektronik-Shops aus dem Bereich Freizeit & Bauelemente von der Marke INFINEON. Sollten Sie hier noch nicht die Geräte und Technik finden, die Sie suchen, schauen Sie sich doch in dem gesamten Angebot für den Bereich Freizeit & Bauelemente um. Oder suchen Sie gezielt nach Technik von INFINEON? Für diesen Fall empfehlen wir einen Besuch auf unserer Seite mit dem Gesamtangebot an Heimtechnik und Profigeräten von INFINEON aus über 100 Online-Shops. Übrigens: Mit Hilfe der Filter oben auf dieser Seite können Sie ganz gezielt nach bestimmten Marken, Produkten in ausgewählten Farben, innerhalb bestimmter Preiskategorien oder auch speziell nach reduzierten Rabattangeboten suchen. Viel Erfolg und Spaß beim Suchen und Stöbern auf I-Love-Tec.de.NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
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IKW25N120T21200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ Technologie mit weicher, schnell...
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k
Verlustleistung: 83W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 2.8mΩ...
Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23
Verlustleistung: 0.175W Polarisierung: bipolar Transistor-Art: RF Transistor-Typ: NPN Gehäuse: SOT23
IKW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-5 FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
Uces 600 V, Ics25 80 A, Icpuls 160 A, Ptot 306 W, Ugeth 4,1 V, tdon 19 ns, tdoff 197 ns, TO-247. Technische...
Darlington-Transistor, PNP, 60V, 0,5A, 1W, SOT-89
IGW40N60H3600V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
IKP20N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKP40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
Verlustleistung: 66W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 12.3mΩ...
Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 3.7mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art:...
IKP15N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
IKW40N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKW40N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie...
IGW50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5...
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NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 22 kR2 = 47 k
IGW25N120H31200V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
IGP06N60T600V Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und Vorteile:• Sehr...
Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 4.2mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art:...
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 250 W, Ugeth 4 V, tdon 20 ns, tdoff 175 ns, TO-220. Technische...
Infineon TLE4284DV33ATMA1 Positiv LDO-Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 1A, TO-252 3-Pin x 10 Stück
Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.24Ω...
Uces 1200 V, Ics25 30 A, Icpuls 60 A, Ptot 217 W, Ugeth 5 V, tdon 21 ns, tdoff 260 ns, TO-247. Technische...
IKW25T1201200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TrenchStop®- und Fieldstop-Technologie mit...
IGW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
Verlustleistung: 1W Gehäuse: SOT89-4 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 6Ω Montage:...
IKZ75N65EH5650V Hochgeschwindigkeits-5 IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IGP40N65H5650V IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie mit weicher, schnell wiederherstellender...
IGP40N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
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Technische Daten: Polung: P-Ch Gehäuse: SO8 U-max: 30V I-max: 10A P-max: 2,5W
Gehäuse: PG-TO263-7 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 2.5mΩ Montage: SMD Kanal-Art:...
Technische Daten: Polung: N-Ch Gehäuse: SO8 U-max: 30V I-max: 18A P-max: 2,5W
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
Fast IGBT in NPT-technology• niedrigerer Eoff im Vergleich zur vorherigen Generation• Kurzschlussfestigkeit...
PNP mit Widerstand bestückterr Transistor R1 = 4.7 k
BCR512NPN-Silizium-Digitaltransistor 50V 500mA 330mW• Eingebauter Vorspannungswiderstand (R1= 4,7 kO,...
H30R1602 (IHW30N160R2) IGBT 1600V 30A Isat 1,8V 300W TO247 Induktions-Ofen-Transistor
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Infineon Low Dropout Spannungsregler TLS850B0TBV33ATMA1 500mA, 1 PG-TO263, 5-Pin, Einstellbar x 10 S...
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NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 47 kR2 = 47 k
Infineon ICE2HS01GXUMA1 Spannungsregler, Resonanzmodus-Controller, 1,5 V / 5mA, DSO 20-Pin x 10 Stüc...
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BCR191... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale:• Schaltkreis, Inverter, Schnittstellenschaltung,...
IKA08N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 255 W, Ugeth 3,2 V, tdon 19 ns, tdoff 160 ns, TO-247. Technische...
Gehäuse: PG-TO263-3 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 1.5mΩ Montage: SMD Kanal-Art:...
IPB320N20N3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 200V 34A 136W PG-TO263-3 INFINEO
IKW15T1201200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TrenchStop®- und Fieldstop-Technologie mit...
IKW30N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IGP20N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
Infineon SiC-Schottky Diode, 1200V / 40A, TO-220 2 + Tab-Pin x 1 Stück
IGP30N65H5650V IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
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BCR555... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale:• Schaltkreis, Inverter, Schnittstellenschaltung,...
32-Bit-Mikrocontroller mit ARM® Cortex®-M0 für eine breite Palette von preissensiblen Anwendungen, die...
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
Hochvolt-Transistor, NPN, 250/250 V, 0,2 A, 0,36 W, SOT-23.
BCR158... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale: • Schaltkreis, Inverter, Interfaceschaltung, Treiberschaltung•...
Infineon ICE3A2065ELJFKLA1 Spannungsregler, PWM-Motorsteuerung, PDIP 8-Pin x 10 Stück
PNP-Darlington-Transistor in einem SOT223-Kunststoffgehäuse. NPN-Ergänzungen: BSP50, BSP51 und BSP52
Uces 1200 V, Ics25 50 A, Icpuls 100 A, Ptot 326 W, Ugeth 5 V, tdon 27 ns, tdoff 277 ns, TO-247. Technische...
Verlustleistung: 35W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 9.3mΩ...
IGW40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:-...
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Verlustleistung: 166W Gate-Ladung: 120nC Technologie: TRENCHSTOP Kollektorstrom...
IKW50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
Flash-Speicher, 256 MBIT, 133 MHz, WSON-8, Flash-Speicher-ICs (S25FL256SAGNFI001), 1 Stück
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Infineon TLE42662GSV33HTMA2 Positiv Low Drop Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 500mA, SOT-223 3+Tab-Pin x...
BCV46, PNP-Silizium-Darlington-TransistorenMerkmale:• Für allgemeine NF-Anwendungen• Hoher Kollektorstrom•...
IKW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie...
Infineon ICE3BR1765JXKLA1 Spannungsregler, PWM-Motorsteuerung, PDIP 8-Pin x 10 Stück
Technische Daten: Polung: N-Ch Gehäuse: TO252AA U-max: 55V I-max: 44A P-max: 107W
Uces 1200 V, Ics25 50 A, Icpuls 100 A, Ptot 349 W, Ugeth 5,2 V, tdon 27 ns, tdoff 265 ns, TO-247. Technische...
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Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: PG-TO220-3 Widerstand im Leitungszustand: 23mΩ Gate-Source Spannung: ±20V...
IGW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:-...
Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: PG-TO220-3 Widerstand im Leitungszustand: 0.13Ω Gate-Source Spannung:...
Kleinsignal Transistoren
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 2.2 kR2 = 10 k
PNP-Silizium-Darlington-Transistoren• hoher Kollektorstrom• niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung•...
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PNP mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k
2X IRFZ48NPBF Transistor: N-MOSFET unipolar 55V 64A 94W TO220AB Infineon (IRF)
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 22 kR2 = 22 k
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
SIPMOS® Kleinsignal-TransistorMerkmale• N-Kanal• Verarmungsmodus• dv /dt-geeignet• Pb-freie Bleibeschichtung;...
PNP mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 47 kR2 = 47 k
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Allzweckdiode für schnelles Schalten• Schutz von Schaltungen• Spannungsklemmung•...
Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 3.2mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art:...