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Freizeit & Bauelemente von INFINEON(140 Treffer)

BCR 133 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23 von Infineon
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
BCR 133 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23
Bester Preis0,10 €
gefunden bei reichelt elektronik
zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:56; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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BAT 64-04 INF - Duale-Schottky-Dioden, 2 in Reihe, 40 V, 0,25 A, SOT-23 von Infineon
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
BAT 64-04 INF - Duale-Schottky-Dioden, 2 in Reihe, 40 V, 0,25 A, SOT-23
Bester Preis0,10 €
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Infineon Technologies IKW40N120H3FKSA1 IGBT TO-247 1200V Tube von INFINEON TECHNOLOGIES
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Infineon Technologies IKW40N120H3FKSA1 IGBT TO-247 1200V Tube
Bester Preis10,99 €
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53% Ersparnis
Weitere Angebote:
digitalo 10,99 €
Computersalg 23,30 €
Infineon Technologies IKW15N120H3FKSA1 IGBT TO-247 1200V Tube von INFINEON TECHNOLOGIES
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Infineon Technologies IKW15N120H3FKSA1 IGBT TO-247 1200V Tube
Bester Preis5,99 €
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45% Ersparnis
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digitalo 5,99 €
Computersalg 10,87 €
IKW 25N120 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 50A, 349W, TO-247 von Infineon
IKW25N120T21200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ Technologie mit weicher, schnell...
IKW 25N120 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 50A, 349W, TO-247
Bester Preis6,15 €
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BCR 135W SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,25 W, SOT-323 von Infineon
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k
BCR 135W SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,25 W, SOT-323
Bester Preis0,12 €
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BSC028N06NSATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 100A 83W PG-TDSON-8 INFINEON von Infineon
Verlustleistung: 83W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 2.8mΩ...
BSC028N06NSATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 100A 83W PG-TDSON-8 INFINEON
Bester Preis11,23 €
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BCV47E6327HTSA1 - Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23 von Infineon
Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23
BCV47E6327HTSA1 - Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23
Bester Preis0,16 €
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10X BFR181E6327HTSA1 Transistor: NPN bipolar RF 12V 20mA 0,175W SOT23 INFINEON T von Infineon
Verlustleistung: 0.175W Polarisierung: bipolar Transistor-Art: RF Transistor-Typ: NPN Gehäuse: SOT23
10X BFR181E6327HTSA1 Transistor: NPN bipolar RF 12V 20mA 0,175W SOT23 INFINEON T
Bester Preis8,40 €
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IKW50N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 80 A, 305W, TO-247-3 von Infineon
IKW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-5 FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKW50N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 80 A, 305W, TO-247-3
Bester Preis3,99 €
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INFINEON IGBT IGW40N60H3 von Infineon
Uces 600 V, Ics25 80 A, Icpuls 160 A, Ptot 306 W, Ugeth 4,1 V, tdon 19 ns, tdoff 197 ns, TO-247. Technische...
INFINEON IGBT IGW40N60H3
Bester Preis5,05 €
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BCV48H6327XTSA1 - Darlington-Transistor, PNP, 60V, 0,5A, 1W, SOT-89 von Infineon
Darlington-Transistor, PNP, 60V, 0,5A, 1W, SOT-89
BCV48H6327XTSA1 - Darlington-Transistor, PNP, 60V, 0,5A, 1W, SOT-89
Bester Preis0,31 €
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IGW40N60H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 80 A, 306W, TO-247-3 von Infineon
IGW40N60H3600V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
IGW40N60H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 80 A, 306W, TO-247-3
Bester Preis3,99 €
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IKP20N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 42A, 125W, TO-220 von Infineon
IKP20N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKP20N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 42A, 125W, TO-220
Bester Preis2,80 €
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IKP40N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 74 A, 255W, TO-220 von Infineon
IKP40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
IKP40N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 74 A, 255W, TO-220
Bester Preis3,80 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:56; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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2X BSC123N08NS3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 80V 55A 66W PG-TDSON-8 INFIN von Infineon
Verlustleistung: 66W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 12.3mΩ...
2X BSC123N08NS3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 80V 55A 66W PG-TDSON-8 INFIN
Bester Preis9,39 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 05:08; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IPP037N08N3GXKSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 80V 100A 214W PG-TO220-3 INFINEO von Infineon
Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 3.7mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art:...
IPP037N08N3GXKSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 80V 100A 214W PG-TO220-3 INFINEO
Bester Preis12,01 €
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IKP15N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 30A, 105W, TO-220 von Infineon
IKP15N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
IKP15N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 30A, 105W, TO-220
Bester Preis1,90 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:56; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IKW40N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 255W, TO-247-3 von Infineon
IKW40N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKW40N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 255W, TO-247-3
Bester Preis4,20 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:56; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IKW40N120H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 80 A, 483 W, TO-247 von Infineon
IKW40N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie...
IKW40N120H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 80 A, 483 W, TO-247
Bester Preis11,95 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:56; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IGW50N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 80A, 305W, TO-247-3 von Infineon
IGW50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5...
IGW50N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 80A, 305W, TO-247-3
Bester Preis3,80 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:56; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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Infineon Technologies IRG4BC40WPBF IGBT TO-220AB Einfach Standard 600 V von Infineon
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Infineon Technologies IRG4BC40WPBF IGBT TO-220AB Einfach Standard 600 V
Bester Preis15,29 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 01:04; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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BCR 142 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23 von Infineon
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 22 kR2 = 47 k
BCR 142 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23
Bester Preis0,05 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:56; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IGW25N120H3 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 50A, 326W, TO-247-3 von Infineon
IGW25N120H31200V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
IGW25N120H3 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 50A, 326W, TO-247-3
Bester Preis4,90 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:56; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IGP06N60T - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 12 A, 88 W, TO-220 von Infineon
IGP06N60T600V Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und Vorteile:• Sehr...
IGP06N60T - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 12 A, 88 W, TO-220
Bester Preis1,30 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:56; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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2X IPP042N03LGXKSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 30V 70A 79W PG-TO220-3 INFINEO von Infineon
Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 4.2mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art:...
2X IPP042N03LGXKSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 30V 70A 79W PG-TO220-3 INFINEO
Bester Preis8,63 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 05:08; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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BAT 64-06 INF - Duale-Schottky-Dioden, gemeinsame Anode, 40 V, 0,25 A, SOT-23 von Infineon
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
BAT 64-06 INF - Duale-Schottky-Dioden, gemeinsame Anode, 40 V, 0,25 A, SOT-23
Bester Preis0,03 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:56; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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INFINEON IGBT IGP40N65F5 von Infineon
Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 250 W, Ugeth 4 V, tdon 20 ns, tdoff 175 ns, TO-220. Technische...
INFINEON IGBT IGP40N65F5
Bester Preis4,82 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:25; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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Infineon TLE4284DV33ATMA1 Positiv LDO-Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 1A, TO-252 3-Pin x 10 Stück von Infineon
Infineon TLE4284DV33ATMA1 Positiv LDO-Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 1A, TO-252 3-Pin x 10 Stück
Infineon TLE4284DV33ATMA1 Positiv LDO-Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 1A, TO-252 3-Pin x 10 Stück
Bester Preis11,54 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 05:08; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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2X BSP373NH6327XTSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 1.8A 1.8W SOT223 INFINEO von Infineon
Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.24Ω...
2X BSP373NH6327XTSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 1.8A 1.8W SOT223 INFINEO
Bester Preis10,05 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 05:08; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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INFINEON IGBT IKW15N120H3 von Infineon
Uces 1200 V, Ics25 30 A, Icpuls 60 A, Ptot 217 W, Ugeth 5 V, tdon 21 ns, tdoff 260 ns, TO-247. Technische...
INFINEON IGBT IKW15N120H3
Bester Preis7,65 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:25; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IKW 25T120 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 50A, 190W, TO-247 von Infineon
IKW25T1201200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TrenchStop®- und Fieldstop-Technologie mit...
IKW 25T120 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 50A, 190W, TO-247
Bester Preis5,75 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:56; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IGW15N120H3 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 30A, 217W, TO-247-3 von Infineon
IGW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
IGW15N120H3 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 30A, 217W, TO-247-3
Bester Preis3,40 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:56; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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8X BSS87H6327FTSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 240V 0.26A 1W SOT89-4 INFINEON von Infineon
Verlustleistung: 1W Gehäuse: SOT89-4 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 6Ω Montage:...
8X BSS87H6327FTSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 240V 0.26A 1W SOT89-4 INFINEON
Bester Preis8,91 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 05:08; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IKZ75N65EH5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 90A, 395W, TO-247-4 von Infineon
IKZ75N65EH5650V Hochgeschwindigkeits-5 IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKZ75N65EH5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 90A, 395W, TO-247-4
Bester Preis6,99 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:56; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IGP40N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 250W, TO-220 von Infineon
IGP40N65H5650V IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
IGP40N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 250W, TO-220
Bester Preis3,20 €
gefunden bei reichelt elektronik
zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:56; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IKP10N60T - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 24 A, 110 W, TO-220 von Infineon
Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie mit weicher, schnell wiederherstellender...
IKP10N60T - IGBT-Transistor, N-Kanal, 600 V, 24 A, 110 W, TO-220
Bester Preis1,85 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:56; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IGP40N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 250W, TO-220 von Infineon
IGP40N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
IGP40N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 74A, 250W, TO-220
Bester Preis3,40 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:56; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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G4PC50UD TRANSISTOR - ROHS - KONFORM von Infineon
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G4PC50UD TRANSISTOR - ROHS - KONFORM
Bester Preis13,55 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 01:04; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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INFINEON Transistor, IRF7416PBF , SMD, Leistung von Infineon
Technische Daten: Polung: P-Ch Gehäuse: SO8 U-max: 30V I-max: 10A P-max: 2,5W
INFINEON Transistor, IRF7416PBF , SMD, Leistung
Bester Preis 0,72 € 0,90 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:25; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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IPB025N10N3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 180A 300W PG-TO263-7 INFINE von Infineon
Gehäuse: PG-TO263-7 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 2.5mΩ Montage: SMD Kanal-Art:...
IPB025N10N3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 100V 180A 300W PG-TO263-7 INFINE
Bester Preis19,96 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 05:08; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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INFINEON Transistor, IRF8736TRPBF , SMD, Leistung von Infineon
Technische Daten: Polung: N-Ch Gehäuse: SO8 U-max: 30V I-max: 18A P-max: 2,5W
INFINEON Transistor, IRF8736TRPBF , SMD, Leistung
Bester Preis0,66 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:25; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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BCR 533 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 500mA, 0,33 W, SOT-23 von Infineon
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
BCR 533 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 500mA, 0,33 W, SOT-23
Bester Preis0,22 €
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zuletzt überprüft am 04.05.2024 um 00:56; der Preis kann sich seitdem geändert haben.
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SGP 07N120 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 16,5A, 125W, TO-220 von Infineon
Fast IGBT in NPT-technology• niedrigerer Eoff im Vergleich zur vorherigen Generation• Kurzschlussfestigkeit...
SGP 07N120 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 16,5A, 125W, TO-220
Bester Preis3,00 €
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BCR 169 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23 von Infineon
PNP mit Widerstand bestückterr Transistor R1 = 4.7 k
BCR 169 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23
Bester Preis0,05 €
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BCR 512 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 500mA, 0,33 W, SOT-23 von Infineon
BCR512NPN-Silizium-Digitaltransistor 50V 500mA 330mW• Eingebauter Vorspannungswiderstand (R1= 4,7 kO,...
BCR 512 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 500mA, 0,33 W, SOT-23
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H30R1602 (IHW30N160R2) IGBT 1600V 30A Isat 1,8V 300W TO247 Induktions-Ofen-Transistor. von Infineon
H30R1602 (IHW30N160R2) IGBT 1600V 30A Isat 1,8V 300W TO247 Induktions-Ofen-Transistor
H30R1602 (IHW30N160R2) IGBT 1600V 30A Isat 1,8V 300W TO247 Induktions-Ofen-Transistor.
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Infineon Low Dropout Spannungsregler TLS850B0TBV33ATMA1 500mA, 1 PG-TO263, 5-Pin, Einstellbar x 10 Stück von Infineon
Infineon Low Dropout Spannungsregler TLS850B0TBV33ATMA1 500mA, 1 PG-TO263, 5-Pin, Einstellbar x 10 S...
Infineon Low Dropout Spannungsregler TLS850B0TBV33ATMA1 500mA, 1 PG-TO263, 5-Pin, Einstellbar x 10 Stück
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Infineon Technologies IRFP4568PBF MOSFET 1 N-Kanal 517W TO-247AC von INFINEON TECHNOLOGIES
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Infineon Technologies IRFP4568PBF MOSFET 1 N-Kanal 517W TO-247AC
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BCR 148W SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 70mA, 0,25 W, SOT-323 von Infineon
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 47 kR2 = 47 k
BCR 148W SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 70mA, 0,25 W, SOT-323
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Infineon ICE2HS01GXUMA1 Spannungsregler, Resonanzmodus-Controller, 1,5 V / 5mA, DSO 20-Pin x 10 Stück von Infineon
Infineon ICE2HS01GXUMA1 Spannungsregler, Resonanzmodus-Controller, 1,5 V / 5mA, DSO 20-Pin x 10 Stüc...
Infineon ICE2HS01GXUMA1 Spannungsregler, Resonanzmodus-Controller, 1,5 V / 5mA, DSO 20-Pin x 10 Stück
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Infineon Technologies IKW75N60TFKSA1 IGBT TO-247 600V Tube von INFINEON TECHNOLOGIES
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Infineon Technologies IKW75N60TFKSA1 IGBT TO-247 600V Tube
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BCR 191 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 0,2 W, SOT-23 von Infineon
BCR191... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale:• Schaltkreis, Inverter, Schnittstellenschaltung,...
BCR 191 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50 V, 100 mA, 0,2 W, SOT-23
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IKA08N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 10,8A, 31,2W, TO-220-Fullpak von Infineon
IKA08N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
IKA08N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 10,8A, 31,2W, TO-220-Fullpak
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INFINEON IGBT IGW40N65F5 von Infineon
Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 255 W, Ugeth 3,2 V, tdon 19 ns, tdoff 160 ns, TO-247. Technische...
INFINEON IGBT IGW40N65F5
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IPB015N04NGATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 40V 120A 250W PG-TO263-3 INFINEON von Infineon
Gehäuse: PG-TO263-3 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 1.5mΩ Montage: SMD Kanal-Art:...
IPB015N04NGATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 40V 120A 250W PG-TO263-3 INFINEON
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IPB320N20N3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 200V 34A 136W PG-TO263-3 INFINEO von Infineon
IPB320N20N3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 200V 34A 136W PG-TO263-3 INFINEO
IPB320N20N3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 200V 34A 136W PG-TO263-3 INFINEO
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IKW15T120 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 30A, 110W, TO-247 von Infineon
IKW15T1201200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TrenchStop®- und Fieldstop-Technologie mit...
IKW15T120 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 30A, 110W, TO-247
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IKW30N65H5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 55 A, 188 W, TO-247-3 von Infineon
IKW30N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKW30N65H5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 55 A, 188 W, TO-247-3
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IGP20N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 42A, 125W, TO-220 von Infineon
IGP20N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
IGP20N65F5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 42A, 125W, TO-220
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Infineon SiC-Schottky Diode, 1200V / 40A, TO-220 2 + Tab-Pin x 1 Stück von Infineon
Infineon SiC-Schottky Diode, 1200V / 40A, TO-220 2 + Tab-Pin x 1 Stück
Infineon SiC-Schottky Diode, 1200V / 40A, TO-220 2 + Tab-Pin x 1 Stück
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IGP30N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 55A, 188W, TO-220 von Infineon
IGP30N65H5650V IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
IGP30N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 55A, 188W, TO-220
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G4PC40W TRANSISTOR IGBT 600V 40A TO-247AC von Infineon
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G4PC40W TRANSISTOR IGBT 600V 40A TO-247AC
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BCR 555 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 500mA, 0,33 W, SOT-23 von Infineon
BCR555... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale:• Schaltkreis, Inverter, Schnittstellenschaltung,...
BCR 555 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 500mA, 0,33 W, SOT-23
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XMC1100T016F0064 - ARM®Cortex®-M0 Mikrocontroller, 64/16 KB,TSSOP-16 von Infineon
32-Bit-Mikrocontroller mit ARM® Cortex®-M0 für eine breite Palette von preissensiblen Anwendungen, die...
XMC1100T016F0064 - ARM®Cortex®-M0 Mikrocontroller, 64/16 KB,TSSOP-16
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BAT 64-05 INF - Duale-Schottky-Dioden, gemeinsame Kathode, 40 V, 0,25 A, SOT-23 von Infineon
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
BAT 64-05 INF - Duale-Schottky-Dioden, gemeinsame Kathode, 40 V, 0,25 A, SOT-23
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INFINEON SMD Transistor BFN24 von Infineon
Hochvolt-Transistor, NPN, 250/250 V, 0,2 A, 0,36 W, SOT-23.
INFINEON SMD Transistor BFN24
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BCR 158 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23 von Infineon
BCR158... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale: • Schaltkreis, Inverter, Interfaceschaltung, Treiberschaltung•...
BCR 158 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23
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Infineon ICE3A2065ELJFKLA1 Spannungsregler, PWM-Motorsteuerung, PDIP 8-Pin x 10 Stück von Infineon
Infineon ICE3A2065ELJFKLA1 Spannungsregler, PWM-Motorsteuerung, PDIP 8-Pin x 10 Stück
Infineon ICE3A2065ELJFKLA1 Spannungsregler, PWM-Motorsteuerung, PDIP 8-Pin x 10 Stück
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BSP 62 SMD - Darlington-Transistor, PNP, 80V, 1A, 1,5W, SOT-223 von Infineon
PNP-Darlington-Transistor in einem SOT223-Kunststoffgehäuse. NPN-Ergänzungen: BSP50, BSP51 und BSP52
BSP 62 SMD - Darlington-Transistor, PNP, 80V, 1A, 1,5W, SOT-223
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INFINEON IGBT IGW25N120H3 von Infineon
Uces 1200 V, Ics25 50 A, Icpuls 100 A, Ptot 326 W, Ugeth 5 V, tdon 27 ns, tdoff 277 ns, TO-247. Technische...
INFINEON IGBT IGW25N120H3
Bester Preis6,19 €
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2X BSC093N04LSGATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 40V 40A 35W PG-TDSON-8 INFINE von Infineon
Verlustleistung: 35W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 9.3mΩ...
2X BSC093N04LSGATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 40V 40A 35W PG-TDSON-8 INFINE
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IGW40N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 74 A, 250 W, TO-247-3 von Infineon
IGW40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:-...
IGW40N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 74 A, 250 W, TO-247-3
Bester Preis3,50 €
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IKP20N60TXKSA1 Transistor: IGBT 600V 20A 166W TO220-3 INFINEON TECHNOLOGIES von Infineon
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Verlustleistung: 166W Gate-Ladung: 120nC Technologie: TRENCHSTOP Kollektorstrom...
IKP20N60TXKSA1 Transistor: IGBT 600V 20A 166W TO220-3 INFINEON TECHNOLOGIES
Bester Preis15,16 €
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IKW50N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 80A, 305W, TO-247-3 von Infineon
IKW50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKW50N65H5 - IGBT-Transistor, N-CH, 650V, 80A, 305W, TO-247-3
Bester Preis6,10 €
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Flash-Speicher, 256 MBIT, 133 MHz, WSON-8, Flash-Speicher-ICs (S25FL256SAGNFI001), 1 Stück von INFINEON
Flash-Speicher, 256 MBIT, 133 MHz, WSON-8, Flash-Speicher-ICs (S25FL256SAGNFI001), 1 Stück
Flash-Speicher, 256 MBIT, 133 MHz, WSON-8, Flash-Speicher-ICs (S25FL256SAGNFI001), 1 Stück
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Infineon Technologies IRFP4468PBF MOSFET 1 N-Kanal 520W TO-247AC von INFINEON TECHNOLOGIES
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Infineon Technologies IRFP4468PBF MOSFET 1 N-Kanal 520W TO-247AC
Bester Preis7,10 €
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digitalo 7,10 €
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Infineon TLE42662GSV33HTMA2 Positiv Low Drop Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 500mA, SOT-223 3+Tab-Pin x 10 Stück von Infineon
Infineon TLE42662GSV33HTMA2 Positiv Low Drop Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 500mA, SOT-223 3+Tab-Pin x...
Infineon TLE42662GSV33HTMA2 Positiv Low Drop Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 500mA, SOT-223 3+Tab-Pin x 10 Stück
Bester Preis9,82 €
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BCV 46 SMD - PNP-Darlington-Transistor, 60 V, 0,5 A, hFE >2000, SOT-23 von Infineon
BCV46, PNP-Silizium-Darlington-TransistorenMerkmale:• Für allgemeine NF-Anwendungen• Hoher Kollektorstrom•...
BCV 46 SMD - PNP-Darlington-Transistor, 60 V, 0,5 A, hFE >2000, SOT-23
Bester Preis0,16 €
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IKW15N120H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 30 A, 217 W, TO-247 von Infineon
IKW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie...
IKW15N120H3 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 1200 V, 30 A, 217 W, TO-247
Bester Preis5,99 €
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Infineon ICE3BR1765JXKLA1 Spannungsregler, PWM-Motorsteuerung, PDIP 8-Pin x 10 Stück von Infineon
Infineon ICE3BR1765JXKLA1 Spannungsregler, PWM-Motorsteuerung, PDIP 8-Pin x 10 Stück
Infineon ICE3BR1765JXKLA1 Spannungsregler, PWM-Motorsteuerung, PDIP 8-Pin x 10 Stück
Bester Preis9,21 €
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INFINEON Transistor, IRFR1205PBF , SMD, Leistung von Infineon
Technische Daten: Polung: N-Ch Gehäuse: TO252AA U-max: 55V I-max: 44A P-max: 107W
INFINEON Transistor, IRFR1205PBF , SMD, Leistung
Bester Preis1,03 €
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INFINEON IGBT IKW25N120T2 von Infineon
Uces 1200 V, Ics25 50 A, Icpuls 100 A, Ptot 349 W, Ugeth 5,2 V, tdon 27 ns, tdoff 265 ns, TO-247. Technische...
INFINEON IGBT IKW25N120T2
Bester Preis 5,99 € 7,30 €
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SPP80P06PHXKSA1 Transistor: P-MOSFET unipolar -60V -80A 340W PG-TO220-3 INFINEON von Infineon
Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: PG-TO220-3 Widerstand im Leitungszustand: 23mΩ Gate-Source Spannung: ±20V...
SPP80P06PHXKSA1 Transistor: P-MOSFET unipolar -60V -80A 340W PG-TO220-3 INFINEON
Bester Preis17,82 €
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IGW50N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 80 A, 305 W, TO-247-3 von Infineon
IGW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:-...
IGW50N65F5 - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 80 A, 305 W, TO-247-3
Bester Preis4,30 €
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2X SPP18P06PHXKSA1 Transistor: P-MOSFET unipolar -60V -18.7A 81.1W PG-TO220-3 IN von Infineon
Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: PG-TO220-3 Widerstand im Leitungszustand: 0.13Ω Gate-Source Spannung:...
2X SPP18P06PHXKSA1 Transistor: P-MOSFET unipolar -60V -18.7A 81.1W PG-TO220-3 IN
Bester Preis9,62 €
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BCV 47 INF - Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23 von Infineon
Kleinsignal Transistoren
BCV 47 INF - Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23
Bester Preis0,22 €
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BCR 505 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 500mA, 0,33 W, SOT-23 von Infineon
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 2.2 kR2 = 10 k
BCR 505 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 500mA, 0,33 W, SOT-23
Bester Preis0,17 €
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BSP 60 SMD - Darlington-Transistor, PNP, 45V, 1A, 1,5W, SOT-223 von Infineon
PNP-Silizium-Darlington-Transistoren• hoher Kollektorstrom• niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung•...
BSP 60 SMD - Darlington-Transistor, PNP, 45V, 1A, 1,5W, SOT-223
Bester Preis0,34 €
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Infineon Technologies IRFP90N20DPBF MOSFET 1 N-Kanal 580W TO-247-3 von INFINEON TECHNOLOGIES
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Infineon Technologies IRFP90N20DPBF MOSFET 1 N-Kanal 580W TO-247-3
Bester Preis4,10 €
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Computersalg 12,39 €
BCR 185 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23 von Infineon
PNP mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k
BCR 185 SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23
Bester Preis0,11 €
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BCR 141 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23 von Infineon
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 22 kR2 = 22 k
BCR 141 SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,2 W, SOT-23
Bester Preis0,10 €
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BCR 133W SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,25 W, SOT-323 von Infineon
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
BCR 133W SMD - NPN Silicon Digital Transistor, 50V, 100mA, 0,25 W, SOT-323
Bester Preis0,04 €
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BSS 169 SMD - SIPMOS®-Transistor, N-CH, 100 V, 0,17 A, RDS(on) 6 Ohm, SOT-23 von Infineon
SIPMOS® Kleinsignal-TransistorMerkmale• N-Kanal• Verarmungsmodus• dv /dt-geeignet• Pb-freie Bleibeschichtung;...
BSS 169 SMD - SIPMOS®-Transistor, N-CH, 100 V, 0,17 A, RDS(on) 6 Ohm, SOT-23
Bester Preis0,25 €
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BCR 198W SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 70mA, 0,25 W, SOT-323 von Infineon
PNP mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 47 kR2 = 47 k
BCR 198W SMD - PNP Silicon Digital Transistor, 50V, 70mA, 0,25 W, SOT-323
Bester Preis0,12 €
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BAS 40-05 INF - Duale-Schottky-Dioden, gemeinsame Kathode, 40 V, 0,12 A, SOT-23 von Infineon
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Allzweckdiode für schnelles Schalten• Schutz von Schaltungen• Spannungsklemmung•...
BAS 40-05 INF - Duale-Schottky-Dioden, gemeinsame Kathode, 40 V, 0,12 A, SOT-23
Bester Preis0,07 €
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IPP032N06N3GXKSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 120A 188W PG-TO220-3 INFINEO von Infineon
Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 3.2mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art:...
IPP032N06N3GXKSA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 120A 188W PG-TO220-3 INFINEO
Bester Preis10,60 €
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FLASH MEMORY, 16MBIT, 70NS, TSOP-48, Flash-Speicher-ICs (S29AL016J70TFI020) 1 Stück von INFINEON
FLASH MEMORY, 16MBIT, 70NS, TSOP-48, Flash-Speicher-ICs (S29AL016J70TFI020) 1 Stück
FLASH MEMORY, 16MBIT, 70NS, TSOP-48, Flash-Speicher-ICs (S29AL016J70TFI020) 1 Stück
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BCV 47 SMD - Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,25W, SOT-23 von Infineon
Gehäuse: SOT-23
BCV 47 SMD - Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,25W, SOT-23
Bester Preis0,17 €
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Infineon CoolMOS P6 IPL60R360P6SATMA1 N-Kanal, Dual MOSFET Transistor & Diode, 650 V / 30 A, ThinPAK 5 x 6 SMD 5-Pin x 10 Stück von Infineon
Infineon CoolMOS P6 IPL60R360P6SATMA1 N-Kanal, Dual MOSFET Transistor & Diode, 650 V / 30 A, ThinPAK...
Infineon CoolMOS P6 IPL60R360P6SATMA1 N-Kanal, Dual MOSFET Transistor & Diode, 650 V / 30 A, ThinPAK 5 x 6 SMD 5-Pin x 10 Stück
Bester Preis10,43 €
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