Freizeit & Bauelemente von INFINEON(140 Treffer)
Freizeit & Bauelemente
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NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
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IKW25N120T21200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ Technologie mit weicher, schnell...
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k
Verlustleistung: 83W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 2.8mΩ...
Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23
Verlustleistung: 0.175W Polarisierung: bipolar Transistor-Art: RF Transistor-Typ: NPN Gehäuse: SOT23
IKW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-5 FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
Uces 600 V, Ics25 80 A, Icpuls 160 A, Ptot 306 W, Ugeth 4,1 V, tdon 19 ns, tdoff 197 ns, TO-247. Technische...
Darlington-Transistor, PNP, 60V, 0,5A, 1W, SOT-89
IGW40N60H3600V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
IKP20N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKP40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
Verlustleistung: 66W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 12.3mΩ...
Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 3.7mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art:...
IKP15N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
IKW40N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKW40N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie...
IGW50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5...
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NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 22 kR2 = 47 k
IGW25N120H31200V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
IGP06N60T600V Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und Vorteile:• Sehr...
Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 4.2mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art:...
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 250 W, Ugeth 4 V, tdon 20 ns, tdoff 175 ns, TO-220. Technische...
Infineon TLE4284DV33ATMA1 Positiv LDO-Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 1A, TO-252 3-Pin x 10 Stück
Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.24Ω...
Uces 1200 V, Ics25 30 A, Icpuls 60 A, Ptot 217 W, Ugeth 5 V, tdon 21 ns, tdoff 260 ns, TO-247. Technische...
IKW25T1201200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TrenchStop®- und Fieldstop-Technologie mit...
IGW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
Verlustleistung: 1W Gehäuse: SOT89-4 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 6Ω Montage:...
IKZ75N65EH5650V Hochgeschwindigkeits-5 IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IGP40N65H5650V IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie mit weicher, schnell wiederherstellender...
IGP40N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
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Technische Daten: Polung: P-Ch Gehäuse: SO8 U-max: 30V I-max: 10A P-max: 2,5W
Gehäuse: PG-TO263-7 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 2.5mΩ Montage: SMD Kanal-Art:...
Technische Daten: Polung: N-Ch Gehäuse: SO8 U-max: 30V I-max: 18A P-max: 2,5W
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
Fast IGBT in NPT-technology• niedrigerer Eoff im Vergleich zur vorherigen Generation• Kurzschlussfestigkeit...
PNP mit Widerstand bestückterr Transistor R1 = 4.7 k
BCR512NPN-Silizium-Digitaltransistor 50V 500mA 330mW• Eingebauter Vorspannungswiderstand (R1= 4,7 kO,...
H30R1602 (IHW30N160R2) IGBT 1600V 30A Isat 1,8V 300W TO247 Induktions-Ofen-Transistor
Infineon Low Dropout Spannungsregler TLS850B0TBV33ATMA1 500mA, 1 PG-TO263, 5-Pin, Einstellbar x 10 S...
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NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 47 kR2 = 47 k
Infineon ICE2HS01GXUMA1 Spannungsregler, Resonanzmodus-Controller, 1,5 V / 5mA, DSO 20-Pin x 10 Stüc...
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BCR191... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale:• Schaltkreis, Inverter, Schnittstellenschaltung,...
IKA08N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 255 W, Ugeth 3,2 V, tdon 19 ns, tdoff 160 ns, TO-247. Technische...
Gehäuse: PG-TO263-3 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 1.5mΩ Montage: SMD Kanal-Art:...
IPB320N20N3GATMA1 Transistor: N-MOSFET unipolar 200V 34A 136W PG-TO263-3 INFINEO
IKW15T1201200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TrenchStop®- und Fieldstop-Technologie mit...
IKW30N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IGP20N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
Infineon SiC-Schottky Diode, 1200V / 40A, TO-220 2 + Tab-Pin x 1 Stück
IGP30N65H5650V IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
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BCR555... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale:• Schaltkreis, Inverter, Schnittstellenschaltung,...
32-Bit-Mikrocontroller mit ARM® Cortex®-M0 für eine breite Palette von preissensiblen Anwendungen, die...
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
Hochvolt-Transistor, NPN, 250/250 V, 0,2 A, 0,36 W, SOT-23.
BCR158... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale: • Schaltkreis, Inverter, Interfaceschaltung, Treiberschaltung•...
Infineon ICE3A2065ELJFKLA1 Spannungsregler, PWM-Motorsteuerung, PDIP 8-Pin x 10 Stück
PNP-Darlington-Transistor in einem SOT223-Kunststoffgehäuse. NPN-Ergänzungen: BSP50, BSP51 und BSP52
Uces 1200 V, Ics25 50 A, Icpuls 100 A, Ptot 326 W, Ugeth 5 V, tdon 27 ns, tdoff 277 ns, TO-247. Technische...
Verlustleistung: 35W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 9.3mΩ...
IGW40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:-...
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Verlustleistung: 166W Gate-Ladung: 120nC Technologie: TRENCHSTOP Kollektorstrom...
IKW50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
Flash-Speicher, 256 MBIT, 133 MHz, WSON-8, Flash-Speicher-ICs (S25FL256SAGNFI001), 1 Stück
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Infineon TLE42662GSV33HTMA2 Positiv Low Drop Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 500mA, SOT-223 3+Tab-Pin x...
BCV46, PNP-Silizium-Darlington-TransistorenMerkmale:• Für allgemeine NF-Anwendungen• Hoher Kollektorstrom•...
IKW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie...
Infineon ICE3BR1765JXKLA1 Spannungsregler, PWM-Motorsteuerung, PDIP 8-Pin x 10 Stück
Technische Daten: Polung: N-Ch Gehäuse: TO252AA U-max: 55V I-max: 44A P-max: 107W
Uces 1200 V, Ics25 50 A, Icpuls 100 A, Ptot 349 W, Ugeth 5,2 V, tdon 27 ns, tdoff 265 ns, TO-247. Technische...
Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: PG-TO220-3 Widerstand im Leitungszustand: 23mΩ Gate-Source Spannung: ±20V...
IGW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:-...
Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: PG-TO220-3 Widerstand im Leitungszustand: 0.13Ω Gate-Source Spannung:...
Kleinsignal Transistoren
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 2.2 kR2 = 10 k
PNP-Silizium-Darlington-Transistoren• hoher Kollektorstrom• niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung•...
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PNP mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 22 kR2 = 22 k
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
SIPMOS® Kleinsignal-TransistorMerkmale• N-Kanal• Verarmungsmodus• dv /dt-geeignet• Pb-freie Bleibeschichtung;...
PNP mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 47 kR2 = 47 k
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Allzweckdiode für schnelles Schalten• Schutz von Schaltungen• Spannungsklemmung•...
Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 3.2mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art:...
FLASH MEMORY, 16MBIT, 70NS, TSOP-48, Flash-Speicher-ICs (S29AL016J70TFI020) 1 Stück
Gehäuse: SOT-23
Infineon CoolMOS P6 IPL60R360P6SATMA1 N-Kanal, Dual MOSFET Transistor & Diode, 650 V / 30 A, ThinPAK...