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I Love Tec von INFINEON
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HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power...
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
Der TLE von Siemens ist ein bipolar und latch Hall IC Switch für magnetische Feld-Anwendungen.Gehäuse:...
5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie...
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
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HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power...
SIPMOS® Small-Signal-TransistorFeatures• N-channel• Depletion mode• dv /dt rated• Available with VGS(th)...
-0,11-Ohm,-TO-252AA-von-Infineon-2159183666.png "IRFR 5505 - MOSFET, P-Kanal, 55 V, 18 A, Rds(on) 0,11 Ohm, TO-252AA")
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
-0,13-Ohm,-SO-8-von-Infineon-2159183876.png "IRF7103PBF - Dual-MOSFET N-Kanal, 50 V, 3 A, Rds(on) 0,13 Ohm, SO-8")
HEXFET® Power MOSFETFeaturesAdvanced Process TechnologyUltra Low On-ResistanceDual N-Channel MOSFETDynamic...
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IKW25N120T21200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ Technologie mit weicher, schnell...
HEXFET Power MOSFETApplication(s)System Load SwitchFeaturesLow RDS(on) (
-0,0125-Ohm,-SO-8-von-Infineon-2159183891.png "IRF8313PBF - Dual-MOSFET N-Kanal, 30 V, 9,7 A, Rds(on) 0,0125 Ohm, SO-8")
HEXFET Power MOSFETApplicationsLoad SwitchDC/DC ConversionBenefitsLow Gate Charge and Low RDS(on)Fully...
-0,0065-Ohm,-TO-220AB-von-Infineon-2159183571.png "IRL 1004 - MOSFET, N-Kanal, 40 V, 130 A, Rds(on) 0,0065 Ohm, TO-220AB")
HEXFET® Power MOSFETAdvanced Process TechnologyUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt Rating175°C Operating...
HEXFET® Power MOSFETFeaturesIndustry-standard pinout SO-8 PackageCompatible with Existing Surface Mount...
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-0,0075-Ohm,-TO-220AB-von-Infineon-2159183574.png "IRF 1010Z - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 94 A, Rds(on) 0,0075 Ohm, TO-220AB")
Speziell für Automobilanwendungen entwickelt,Dieser HEXFET® Power MOSFET nutzt die neuestenVerarbeitungstechniken,...
800V CoolMOS™ C3 Power MOSFETFeatures• New revolutionary high voltage technology• Extreme dv/dt rated•...
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k
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-0,0049-Ohm,-TO-252AA-von-Infineon-2159184028.png "IRLR3114ZPBF - MOSFET N-LogL, 40 V, 42 A, Rds(on) 0,0049 Ohm, TO-252AA")
HEXFET® Power MOSFETFeaturesAdvanced Process TechnologyUltra Low On-Resistance175°C Operating TemperatureFast...
-0,0165-Ohm,-TO220AB-von-Infineon-2159184005.png "IRFZ44VPBF - MOSFET N-Kanal, 60 V, 55 A, RDS(on) 0,0165 Ohm, TO220AB")
IRFZ44VPbF, HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die fortschrittlichen HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von...
Typische Anwendungen• Signalverarbeitung, (Schnelles)• Schalten, Gleichrichten• Standardausführung• Suffix...
HEXFET Power MOSFETApplicationsControl MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor PowerControl...
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Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23
Der BCR405U ist ein kostengünstige LED-Treiber für Low-Power-LEDs.Die Vorteile gegenüber einem Vorwiderstand...
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-0,45-Ohm,-TO220-Fullpak-von-Infineon-2159184053.png "SPA11N80C3 - MOSFET N-Kanal, 800 V, 11 A, Rds(on) 0,45 Ohm, TO220-Fullpak")
800V CoolMOS™ C3 Power MOSFETFeatures• New revolutionary high voltage technology• Extreme dv/dt rated•...
HEXFET® Power MOSFETApplicationBrushed motor drive applicationsBLDC motor drive applicationsBattery powered...
PNP Silicon Double TransistorTo be used as a current mirrorGood thermal coupling and VBE matchingHigh...
HEXFET Power MOSFETApplicationsDC Motor DriveHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible...
HEXFET® Power MOSFETAdvanced Process TechnologyIsolated PackageHigh Voltage Isolation = 2.5KVRMS ?Sink...
IKW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-5 FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
-0,065-Ohm,-TO-252AA-von-Infineon-2159183664.png "IRFR 5305 - MOSFET, P-Kanal, -55 V, -31 A, Rds(on) 0,065 Ohm, TO-252AA")
HEXFET® Power MOSFETUltra Low On-ResistanceSurface Mount (IRFR5305)Straight Lead (IRFU5305)Advanced Process...
HEXFET® Power MOSFETApplicationBrushed Motor drive applicationsBLDC Motor drive applicationsBattery powered...
HEXFET® Power MOSFETFeaturesAdvanced Process TechnologyDynamic dv/dt Rating175°C Operating TemperatureFast...
Technische Daten• revolutionäres Halbleitermaterial SiC• kein Rückwärts-/kein Vorwärts-Erholverhalten•...
Uces 600 V, Ics25 80 A, Icpuls 160 A, Ptot 306 W, Ugeth 4,1 V, tdon 19 ns, tdoff 197 ns, TO-247. Technische...
BTS711L1, Intelligenter High-Side-LeistungsschalterBeschreibungN-Kanal-Vertikal-Leistungs-FET mit Ladungspumpe,...
Darlington-Transistor, PNP, 60V, 0,5A, 1W, SOT-89
Die StrongIRFET™-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert....
IGW40N60H3600V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
-0,0175-Ohm,-TO-220AB-von-Infineon-2159183669.png "IRFZ 44N - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 49 A, RDS(on) 0,0175 Ohm, TO-220AB")
IRFZ44NPbF, HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die fortschrittlichen HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von...
MOSFET Treiber 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC
600V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance...
0,0011-Ohm,-TDSON-8-von-Infineon-2159184040.png "ISC011N03L5S - MOSFET, N-Kanal, 30 V, 100A, RDS(on)0,0011 Ohm, TDSON-8")
Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs mit breiter Zugänglichkeit und wettbewerbsfähigem Preis-/LeistungsverhältnisMit...
HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power...
-0,00146-Ohm,-TO-247AC-von-Infineon-2159183660.png "IRFP 4368 - MOSFET, N-Kanal, 75 V, 195 A, Rds(on) 0,00146 Ohm, TO-247AC")
HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power...
IKP20N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKP40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
HEXFET® Power MOSFETFeaturesAdvanced Process TechnologyUltra Low On-Resistance175°C Operating TemperatureFast...
-0,0033-Ohm,-QFN-8-von-Infineon-2159183919.png "IRFH8324 - MOSFET, N-Kanal, 30 V, 50A, RDS(on) 0,0033 Ohm, QFN-8")
30V Single N-Kanal StrongIRFET™ Power MOSFET in einem PQFN 5x6 GehäuseDie StrongIRFET™-Leistungs-MOSFET-Familie...
Anwendungen:• hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS• unterbrechungsfreie Stromversorgung• hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil•...
TCA 440 = A 244DDIL 16
Silizium-NPN-Transistoren• Für AF-Treiber und Ausgangsstufen• Hoher Kollektorstrom• Hohe Stromverstärkung•...
-0,0031-Ohm,-TO252AA-von-Infineon-2159184032.png "IRLR8743PBF - MOSFET N-LogL, 30 V, 160 A, RDS(on) 0,0031 Ohm, TO252AA")
IRLR8743PbF, HEXFET Leistungs-MOSFETVorteile:• Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5V VGS• Ultra-niedrige Gate-Impedanz•...
HEXFET® Power MOSFETSurface MountAdvanced Process TechnologyUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt RatingFast...
-0,064-Ohm,-TO-252AA-von-Infineon-2159183964.png "IRFR4620PBF - MOSFET N-Kanal, 200 V, 24 A, Rds(on) 0,064 Ohm, TO-252AA")
HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power...
-0,00734-Ohm,-TO-251AA-von-Infineon-2159183686.png "IRFU 3607 - MOSFET, N-Kanal, 75 V, 56 A, Rds(on) 0,00734 Ohm, TO-251AA")
Anwendungen• hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS• unterbrechungsfreie Stromversorgung• hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil•...
IKP15N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
HEXFET Power MOSFETApplicationsDC Motor DriveHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible...
-0,28-Ohm,-TO-220-von-Infineon-2159183839.png "IPP60R280C6 - MOSFET N-Kanal, 600 V, 13,8 A, Rds(on) 0,28 Ohm, TO-220")
600V CoolMOS™ C6 Power MOSFETFeatures:Easy control of switching behaviorExtremely low losses due to very...
IKW40N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
650V CoolMOS™ C6 Power MOSFETFeatures:Easy control of switching behaviorExtremely low losses due to very...
MOSFET Transistor N-Ch 100V 88A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB
600V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance...
PNP Silizium AF Leistungstransistoren• Für AF-Treiber und Ausgangsstufen• Hoher Kollektorstrom• Hohe...
-0,027-Ohm,-TO-247-4-von-Infineon-2159183826.png "IMZA65R027M1H - SiC-MOSFET N-Kanal, 650 V, 59 A, Rds(on) 0,027 Ohm, TO-247-4")
MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power DeviceDer 650 V CoolSiC™ basiert auf der massiven Siliziumkarbid-Technologie,...
-0,0054-Ohm,-QFN-8-von-Infineon-2159184045.png "ISZ065N03L5S - MOSFET, N-Kanal, 30 V, 40A, RDS(on) 0,0054 Ohm, QFN-8")
Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs mit breiter Zugänglichkeit und wettbewerbsfähigem Preis-/Leistungsverhältnis...
800V CoolMOS™ C3 Power MOSFETFeatures• New revolutionary high voltage technology• Extreme dv/dt rated•...
-0,0023-Ohm,-TO-220AB-von-Infineon-2159183624.png "IRF 3703 - MOSFET, N-Kanal, 30 V, 210 A, Rds(on) 0,0023 Ohm, TO-220AB")
Anwendungen:• Synchrone Gleichrichtung• Aktives ORing• BleifreiVorteile• Extrem niedriger Einschaltwiderstand•...
-0,011-Ohm,-TO-220AB-von-Infineon-2159183588.png "IRF 1010N - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 85 A, Rds(on) 0,011 Ohm, TO-220AB")
Die fortschrittlichen HEXFETÆ-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
600V CoolMOS™ C6 Power MOSFETFeatures:Easy control of switching behaviorExtremely low losses due to very...
-0,00734-Ohm,-TO-220AB-von-Infineon-2159183649.png "IRFB 3607 - MOSFET, N-Kanal, 75 V, 80 A, RDS(on) 0,00734 Ohm, TO-220AB")
IRFB3607PbF , HEXFET Leistungs-MOSFETVorteil:• Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit•...
Low Side SwitchesLogic Level InputSurge temperature protectionOverload protectionShort-circuit prote...
600V CoolMOS™ P6 Power MOSFETFeatures• Increased MOSFET dv/dt ruggedness• Extremely low losses due to...
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-0,0046-Ohm,-TO-220AB-von-Infineon-2159183704.png "IRF 1405 - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 169 A, Rds(on) 0,0046 Ohm, TO-220AB")
HEXFET Power MOSFETUltra Low ON-ResistanceSurface MountFast SwitchingFully Avalanche RatedLead Free
600V CoolMOS™ C6 Power MOSFETFeatures:Easy control of switching behaviorExtremely low losses due to very...
-0,0103-Ohm,-D2Pak-von-Infineon-2159183984.png "IRFS4115PBF - MOSFET N-Kanal, 150 V, 99 A, RDS(on) 0,0103 Ohm, D²Pak")
HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power...
-0,012-Ohm,-TO-247AC-von-Infineon-2159183661.png "IRFP 4321 - MOSFET, N-Kanal, 150 V, 78 A, Rds(on) 0,012 Ohm, TO-247AC")
HEXFET Power MOSFETApplicationsMotion Control ApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in...
IKW40N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie...
IGW50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5...
-0,0027-Ohm,-TO-220AB-von-Infineon-2159183700.png "IRF 1404Z - MOSFET, N-Kanal, 40 V, 190 A, Rds(on) 0,0027 Ohm, TO-220AB")
Speziell für Automotive-Anwendungen entwickelt, ID = 75A.Dieser HEXFET® Power MOSFET nutzt die neuesten...
0,0026-Ohm,-TDSON-8-von-Infineon-2159184042.png "ISC026N03L5S - MOSFET, N-Kanal, 30 V, 100A, RDS(on)0,0026 Ohm, TDSON-8")
Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs mit breiter Zugänglichkeit und wettbewerbsfähigem Preis-/LeistungsverhältnisMit...
-0,006-Ohm,-TO220AB-von-Infineon-2159183915.png "IRFB7740PBF - MOSFET N-Kanal, 75 V, 87 A, Rds(on) 0,006 Ohm, TO220AB")
HEXFET® Power MOSFETApplicationBrushed Motor drive applicationsBLDC Motor drive applicationsBattery powered...
-0,0071-Ohm,-TO-220AB-von-Infineon-2159183561.png "IRF 1018E - MOSFET, N-Kanal, 60 V, 79 A, Rds(on) 0,0071 Ohm, TO-220AB")
Anwendungen:• hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS• unterbrechungsfreie Stromversorgung• hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil•...
MOSFET Transistor N-Ch 30V 20A SO-8
-0,06-Ohm,-D2Pak-von-Infineon-2159183871.png "IRF5210SPBF - MOSFET, P-Ch, -100 V, -38 A, Rds(on) 0,06 Ohm, D²Pak")
IRF5210S , HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibungDieses Design zeichnet sich durch eine Sperrschicht-Betriebstemperatur...
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Kleinsignal Transistoren
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 22 kR2 = 47 k
Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mWDer BFP640 ist ein linearer, sehr rauscharmer, breitbandiger bipolarer...
-0,01-Ohm,-TO-220AB-von-Infineon-2159183682.png "IRL 3705N - MOSFET, N-Kanal, 55 V, 89 A, Rds(on) 0,01 Ohm, TO-220AB")
HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der siebten Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche...
Details anzeigen
SIPMOS® Small-Signal-TransistorFeatures• P-Channel• Enhancement mode• Logic level• Avalanche rated• dv...