Aktive Bauelemente von INFINEON(122 Treffer)
Freizeit & Bauelemente
Produktart
Aktive Bauelemente
Variante
Farbe
Preis
- % Sale (2)
INFINEON - Angebote zu Aktive Bauelemente im Preisvergleich
Wir freuen uns über Ihren Besuch! Sie befinden sich auf dieser Seite gerade im Bereich für Aktive Bauelemente. Wir zeigen Ihnen hier eine ganz besondere Auswahl an Produkten, nämlich das gesamte Sortiment aus hunderten Online-Shops für den Bereich Aktive Bauelemente von der Marke INFINEON. Ganz gleich, ob Sie Heimtechnik oder Profigeräte suchen... sollten Sie auf dieser Seite nicht fündig werden, schauen Sie sich doch unter dem gesamten Angebot für Aktive Bauelemente um, besuchen Sie den übergreifenden Presivergleich für Freizeit & Bauelemente oder den Gesamtbereich für Freizeit & Bauelemente von INFINEON mit Angeboten zahlreicher Elektronik-Shops. Wenn Sie ausschließlich nach Technik von INFINEON suchen, empfehlen wir Ihnen auch den Besuch unserer Seite für die ganze Welt an Heimtechnik und Profigeräten von INFINEON, auf der Sie sämtliche Angebote von über 100 Online-Shops im Preisvergleich finden. Übrigens: Dort wie auch auf jeder anderen Seite bei uns können Sie mit Hilfe der Filter ganz gezielt nach einzelnen Marken, Produkten in ausgewählten Farben, Technik innerhalb bestimmter Preiskategorien oder auch speziell nach reduzierten Rabattangeboten suchen. Viel Erfolg und Spaß beim Suchen und Stöbern auf I-Love-Tec.de.NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
Details anzeigen
Details anzeigen
IKW25N120T21200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ Technologie mit weicher, schnell...
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k
Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23
Verlustleistung: 0.175W Polarisierung: bipolar Transistor-Art: RF Transistor-Typ: NPN Gehäuse: SOT23
IKW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-5 FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
Uces 600 V, Ics25 80 A, Icpuls 160 A, Ptot 306 W, Ugeth 4,1 V, tdon 19 ns, tdoff 197 ns, TO-247. Technische...
Darlington-Transistor, PNP, 60V, 0,5A, 1W, SOT-89
IGW40N60H3600V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
IKP20N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKP40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
IKP15N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
IKW40N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKW40N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie...
IGW50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5...
Details anzeigen
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 22 kR2 = 47 k
IGW25N120H31200V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
IGP06N60T600V Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und Vorteile:• Sehr...
Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 4.2mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art:...
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 250 W, Ugeth 4 V, tdon 20 ns, tdoff 175 ns, TO-220. Technische...
Verlustleistung: 1.8W Gehäuse: SOT223 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 0.24Ω...
Uces 1200 V, Ics25 30 A, Icpuls 60 A, Ptot 217 W, Ugeth 5 V, tdon 21 ns, tdoff 260 ns, TO-247. Technische...
IKW25T1201200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TrenchStop®- und Fieldstop-Technologie mit...
IGW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
IKZ75N65EH5650V Hochgeschwindigkeits-5 IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IGP40N65H5650V IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie mit weicher, schnell wiederherstellender...
IGP40N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
Details anzeigen
Technische Daten: Polung: P-Ch Gehäuse: SO8 U-max: 30V I-max: 10A P-max: 2,5W
Technische Daten: Polung: N-Ch Gehäuse: SO8 U-max: 30V I-max: 18A P-max: 2,5W
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
Fast IGBT in NPT-technology• niedrigerer Eoff im Vergleich zur vorherigen Generation• Kurzschlussfestigkeit...
PNP mit Widerstand bestückterr Transistor R1 = 4.7 k
BCR512NPN-Silizium-Digitaltransistor 50V 500mA 330mW• Eingebauter Vorspannungswiderstand (R1= 4,7 kO,...
Details anzeigen
Infineon Low Dropout Spannungsregler TLS850B0TBV33ATMA1 500mA, 1 PG-TO263, 5-Pin, Einstellbar x 10 S...
Details anzeigen
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 47 kR2 = 47 k
Infineon ICE2HS01GXUMA1 Spannungsregler, Resonanzmodus-Controller, 1,5 V / 5mA, DSO 20-Pin x 10 Stüc...
Details anzeigen
BCR191... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale:• Schaltkreis, Inverter, Schnittstellenschaltung,...
IKA08N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 255 W, Ugeth 3,2 V, tdon 19 ns, tdoff 160 ns, TO-247. Technische...
IKW15T1201200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TrenchStop®- und Fieldstop-Technologie mit...
IKW30N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IGP20N65F5650V FAST IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
IGP30N65H5650V IGBT-Hochgeschwindigkeitsschalter der fünften Generation in TRENCHSTOP™ 5-TechnologieMerkmale...
Details anzeigen
BCR555... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale:• Schaltkreis, Inverter, Schnittstellenschaltung,...
32-Bit-Mikrocontroller mit ARM® Cortex®-M0 für eine breite Palette von preissensiblen Anwendungen, die...
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
Hochvolt-Transistor, NPN, 250/250 V, 0,2 A, 0,36 W, SOT-23.
BCR158... , PNP-Silizium-Digital-TransistorMerkmale: • Schaltkreis, Inverter, Interfaceschaltung, Treiberschaltung•...
Infineon ICE3A2065ELJFKLA1 Spannungsregler, PWM-Motorsteuerung, PDIP 8-Pin x 10 Stück
PNP-Darlington-Transistor in einem SOT223-Kunststoffgehäuse. NPN-Ergänzungen: BSP50, BSP51 und BSP52
Uces 1200 V, Ics25 50 A, Icpuls 100 A, Ptot 326 W, Ugeth 5 V, tdon 27 ns, tdoff 277 ns, TO-247. Technische...
Verlustleistung: 35W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 9.3mΩ...
IGW40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:-...
IKW50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
Details anzeigen
Infineon TLE42662GSV33HTMA2 Positiv Low Drop Spannungsregler, SMD, 3,3 V / 500mA, SOT-223 3+Tab-Pin x...
BCV46, PNP-Silizium-Darlington-TransistorenMerkmale:• Für allgemeine NF-Anwendungen• Hoher Kollektorstrom•...
IKW15N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie...
Infineon ICE3BR1765JXKLA1 Spannungsregler, PWM-Motorsteuerung, PDIP 8-Pin x 10 Stück
Technische Daten: Polung: N-Ch Gehäuse: TO252AA U-max: 55V I-max: 44A P-max: 107W
Uces 1200 V, Ics25 50 A, Icpuls 100 A, Ptot 349 W, Ugeth 5,2 V, tdon 27 ns, tdoff 265 ns, TO-247. Technische...
IGW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-FAST IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:-...
Verpackungs-Art: Tube Gehäuse: PG-TO220-3 Widerstand im Leitungszustand: 0.13Ω Gate-Source Spannung:...
Kleinsignal Transistoren
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 2.2 kR2 = 10 k
PNP-Silizium-Darlington-Transistoren• hoher Kollektorstrom• niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung•...
Details anzeigen
PNP mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 22 kR2 = 22 k
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
SIPMOS® Kleinsignal-TransistorMerkmale• N-Kanal• Verarmungsmodus• dv /dt-geeignet• Pb-freie Bleibeschichtung;...
PNP mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 47 kR2 = 47 k
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Allzweckdiode für schnelles Schalten• Schutz von Schaltungen• Spannungsklemmung•...
Montage: THT Gate-Ladung: 470nC Verpackungs-Art: Tube Anschaltzeit: 69ns Ausschaltzeit: 401ns
Gehäuse: SOT-23
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 2.2 kR2 = 47 k
IKP30N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
Infineon TLE42662GHTMA2 Positiv Low Drop Spannungsregler, SMD, 5 V / 150mA, SOT-223 3+Tab-Pin x 5 St...
Darlington-Transistor, PNP, 80V, 1A, 1,5W, SOT-223
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k
Technische Daten: Polung: N-Ch Gehäuse: TO252AA U-max: 55V I-max: 17A P-max: 45W
IKW40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-5 FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
2X IRF1018EPBF Transistor: N-MOSFET unipolar 60V 79A 110W TO220AB Infineon (IRF)
IGW40N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5...
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 2.2 kR2 = 47 k
PNP mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 4.7 kR2 = 4.7 k
Details anzeigen
Details anzeigen
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 4.7 kR2 = 4.7 k