Aktive Bauelemente von NXP(40 Treffer)
Freizeit & Bauelemente
Produktart
Aktive Bauelemente
Variante
Farbe
Preis
NXP - Angebote zu Aktive Bauelemente im Preisvergleich
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Leistungsthyristor, Gehäuse TO220, periodische Spitzensperrspannung 800 V, Durchlassstrom eff. 25 A,...
Kleinleistungsthyristor, Gehäuse SOT54, periodische Spitzensperrspannung 400 V, Durchlassstrom eff. 0,8...
NPN mit Widerständen bestückter Transistoren R1 = 2.2 kR2 = 2.2 kFEATURES• Eingebaute Vorwiderstände•...
Kunststoffgehäuse für Oberflächenmontage; Kollektorkissen für gute Wärmeübertragung; 3 Leitungen
Sensorwiderstand: 1960...2040, Temperaturkoeffizient bei 25 °C: 0,79 %/K, Strom: 10 mA, Temperaturbereich:...
Sensorwiderstand: 1980...2020, Temperaturkoeffizient bei 25 °C: 0,79 %/K, Strom: 10 mA, Temperaturbereich:...
Urrm 600 V, Itrms 12 A, Tc 56 °C, Itsm 95 A, Igt 35 mA, SOT-186. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
Schottky-Barriere-DiodenBeschreibungPlanare Schottky-Barriere-Dioden mit einem integrierten Schutzring...
Silizium-Schottky-DiodenBeschreibung:Allzweck-Schottky-Dioden in kleinem SMD-Kunststoff (Surface-Mounted...
BeschreibungLow-Power-Spannungsreglerdioden in einem sehr kleinen SOD323 (SC-76) Kunststoff-SMD-Gehäuse...
32 Bit MCU, Cortex-M3, 72 MHz, lqfp-64 Zustand: Neu IC 'S Mikrocontroller Mikro-Controllern (MCU) – 32...
FEATURESHigh current (500 mA)600 mW total power dissipationReplaces two SOT23 packaged transistors on...
Zener-Diode Gehäuse DO41 Spannung: 5,1 V Leistung: 1,3 W
Zener-Diode Gehäuse DO41 Spannung: 2,7 V Leistung: 1,3 W
Kleinleistungsthyristor, Gehäuse SOT78, periodische Spitzensperrspannung 800 V, Durchlassstrom eff. 12...
Sensorwiderstand: 1000...1020, Temperaturkoeffizient bei 25 °C: 0,79 %/K, Strom: 10 mA, Temperaturbereich:...
Urrm 800 V, Itrms 16 A, Tc 38 °C, Itsm 155 A, Igt 35 mA, TO-220. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
32-bit ARM Cortex-M0+ microcontroller; up to 16 kB flash and 4 kB SRAMDie Peripherie des LPC81xM umfasst...
LPC2131/32/34/36/38Single-Chip-16/32-Bit-Mikrocontroller; 32/64/128/256/512 kBISP/IAP-Flash mit 10-Bit-ADC...
Zener-Diode Gehäuse DO41 Spannung 20 V Leistung 1.3 W
Zener-Diode. Gehäuse DO35. Spannung: 9,1 V. Leistung: 500 mW.
Sensorwiderstand: 1960...2000, Temperaturkoeffizient bei 25 °C: 0,79 %/K, Strom: 10 mA, Temperaturbereich:...
Urrm 600 V, Itrms 12 A, Tc 99 °C, Itsm 95 A, Igt 35 mA, TO-220. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
PNP mit Widerständen bestückter Transistoren R1 = 2.2 kR2 = 2.2 k
Schottky-Barriere-DiodenBeschreibungPlanare Schottky-Barriere-Dioden mit einem integrierten Schutzring...
Leistungsthyristor, Gehäuse TO220, periodische Spitzensperrspannung 800 V, Durchlassstrom eff. 20 A,...
Zener-Diode Gehäuse DO35 Spannung: 18 V Leistung: 500 mW
Silizium-Schottky-DiodenBeschreibung:Allzweck-Schottky-Dioden in kleinem SMD-Kunststoff (Surface-Mounted...
Urrm 600 V, Itrms 8 A, Tc 102 °C, Itsm 65 A, Igt 35 mA, SOT-186. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
FEATURESHigh current (500 mA)600 mW total power dissipationReplaces two SOT23 packaged transistors on...
Sensorwiderstand: 990...1010, Temperaturkoeffizient bei 25 °C: 0,79 %/K, Strom: 10 mA, Temperaturbereich:...
Urrm 800 V, Itrms 12 A, Tc 99 °C, Itsm 95 A, Igt 35 mA, TO-220. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
Zener-Diode. Gehäuse DO35. Spannung: 3,3 V. Leistung: 500 mW.
Urrm 800 V, Itrms 16 A, Tc 38 °C, Itsm 155 A, Igt 35 mA, SOT-186. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
Leistungsthyristor, Gehäuse TO220, periodische Spitzensperrspannung 650 V, Durchlassstrom eff. 20 A,...
BeschreibungLow-Power-Spannungsreglerdioden in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device...
Best Price Square Transistor, NPN, SOT-23 BC847C Pack of 10 by NXP
I²C-Bus Port-Erweiterung, SMD.
Urrm 600 V, Itrms 16 A, Tc 99 °C, Itsm 155 A, Igt 35 mA, TO-220. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...