Aktive Bauelemente von NXP(42 Treffer)
Freizeit & Bauelemente
Produktart
Aktive Bauelemente
Variante
Sonstige
Farbe
Preis
Kleinleistungsthyristor, Gehäuse SOT78, periodische Spitzensperrspannung 500 V, Durchlassstrom eff. 12...
Leistungsthyristor, Gehäuse TO220, periodische Spitzensperrspannung 800 V, Durchlassstrom eff. 25 A,...
MICROPROCESSOR, 400MHZ, 32BIT, TEPBGA, Mikroprozessoren-ICs (MPC5200CVR400BR2) 1 Stück
Kleinleistungsthyristor, Gehäuse SOT54, periodische Spitzensperrspannung 400 V, Durchlassstrom eff. 0,8...
NPN mit Widerständen bestückter Transistoren R1 = 2.2 kR2 = 2.2 kFEATURES• Eingebaute Vorwiderstände•...
Kunststoffgehäuse für Oberflächenmontage; Kollektorkissen für gute Wärmeübertragung; 3 Leitungen
Sensorwiderstand: 1960...2040, Temperaturkoeffizient bei 25 °C: 0,79 %/K, Strom: 10 mA, Temperaturbereich:...
Sensorwiderstand: 1980...2020, Temperaturkoeffizient bei 25 °C: 0,79 %/K, Strom: 10 mA, Temperaturbereich:...
Urrm 600 V, Itrms 12 A, Tc 56 °C, Itsm 95 A, Igt 35 mA, SOT-186. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
Schottky-Barriere-DiodenBeschreibungPlanare Schottky-Barriere-Dioden mit einem integrierten Schutzring...
Silizium-Schottky-DiodenBeschreibung:Allzweck-Schottky-Dioden in kleinem SMD-Kunststoff (Surface-Mounted...
BeschreibungLow-Power-Spannungsreglerdioden in einem sehr kleinen SOD323 (SC-76) Kunststoff-SMD-Gehäuse...
32 Bit MCU, Cortex-M3, 72 MHz, lqfp-64 Zustand: Neu IC 'S Mikrocontroller Mikro-Controllern (MCU) – 32...
FEATURESHigh current (500 mA)600 mW total power dissipationReplaces two SOT23 packaged transistors on...
Zener-Diode Gehäuse DO41 Spannung: 5,1 V Leistung: 1,3 W
Zener-Diode Gehäuse DO41 Spannung: 2,7 V Leistung: 1,3 W
Kleinleistungsthyristor, Gehäuse SOT78, periodische Spitzensperrspannung 800 V, Durchlassstrom eff. 12...
CAN TRANSCEIVER, AEC-Q100, 5MBPS, SOIC14, CAN Interface ICs (TJA1048T,118) 1 Stück
Urrm 800 V, Itrms 16 A, Tc 38 °C, Itsm 155 A, Igt 35 mA, TO-220. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
32-bit ARM Cortex-M0+ microcontroller; up to 16 kB flash and 4 kB SRAMDie Peripherie des LPC81xM umfasst...
LPC2131/32/34/36/38Single-Chip-16/32-Bit-Mikrocontroller; 32/64/128/256/512 kBISP/IAP-Flash mit 10-Bit-ADC...
Zener-Diode Gehäuse DO41 Spannung 20 V Leistung 1.3 W
Zener-Diode. Gehäuse DO35. Spannung: 9,1 V. Leistung: 500 mW.
Urrm 600 V, Itrms 12 A, Tc 99 °C, Itsm 95 A, Igt 35 mA, TO-220. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
PNP mit Widerständen bestückter Transistoren R1 = 2.2 kR2 = 2.2 k
Schottky-Barriere-DiodenBeschreibungPlanare Schottky-Barriere-Dioden mit einem integrierten Schutzring...
Leistungsthyristor, Gehäuse TO220, periodische Spitzensperrspannung 800 V, Durchlassstrom eff. 20 A,...
Zener-Diode Gehäuse DO35 Spannung: 18 V Leistung: 500 mW
Silizium-Schottky-DiodenBeschreibung:Allzweck-Schottky-Dioden in kleinem SMD-Kunststoff (Surface-Mounted...
Urrm 600 V, Itrms 8 A, Tc 102 °C, Itsm 65 A, Igt 35 mA, SOT-186. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
MPU, 32BIT, CORTEX-A9, 800MHZ, MAPBGA624, Mikroprozessoren-ICs (MCIMX6S7CVM08AC) 1 Stück
FEATURESHigh current (500 mA)600 mW total power dissipationReplaces two SOT23 packaged transistors on...
Sensorwiderstand: 990...1010, Temperaturkoeffizient bei 25 °C: 0,79 %/K, Strom: 10 mA, Temperaturbereich:...
Urrm 800 V, Itrms 12 A, Tc 99 °C, Itsm 95 A, Igt 35 mA, TO-220. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
Zener-Diode. Gehäuse DO35. Spannung: 3,3 V. Leistung: 500 mW.
Zener-Diode Gehäuse DO41 Spannung: 51 V Leistung: 1,3 W
Urrm 800 V, Itrms 16 A, Tc 38 °C, Itsm 155 A, Igt 35 mA, SOT-186. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...
Leistungsthyristor, Gehäuse TO220, periodische Spitzensperrspannung 650 V, Durchlassstrom eff. 20 A,...
BeschreibungLow-Power-Spannungsreglerdioden in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device...
Best Price Square Transistor, NPN, SOT-23 BC847C Pack of 10 by NXP
I²C-Bus Port-Erweiterung, SMD.
Urrm 600 V, Itrms 16 A, Tc 99 °C, Itsm 155 A, Igt 35 mA, TO-220. Technische Daten: Typ: Triac Gehäuse:...