INFINEON(786 Treffer)
-3,0-Ohm,-TO-220AB-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013595.png "IRF 820 - MOSFET, N-Ch 500V 2,5A 3,0R, TO-220AB")
IRF820, Leistungs-MOSFETBESCHREIBUNGLeistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler...
MOSFET Treiber200V 3A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 16-Pin SOIC W
HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power...
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
600 V, 10 A IGBT Discrete mit rückwärts gerichteter Ansteuerung 2-Diode im TO-252 GehäuseRC-Drive 2 600...
Der TLE von Siemens ist ein bipolar und latch Hall IC Switch für magnetische Feld-Anwendungen.Gehäuse:...
5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie...
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power...
SIPMOS® Small-Signal-TransistorFeatures• N-channel• Depletion mode• dv /dt rated• Available with VGS(th)...
-0,11-Ohm,-TO-252AA-von-Infineon-2159183666.png "IRFR 5505 - MOSFET, P-Ch, 55V 18A 0,11R, TO-252AA")
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
-0,13-Ohm,-SO-8-von-Infineon-2159183876.png "IRF7103PBF - Dual-MOSFET N-Ch 50V 3A 0,13R, SO-8")
HEXFET® Power MOSFETFeaturesAdvanced Process TechnologyUltra Low On-ResistanceDual N-Channel MOSFETDynamic...
IKW25N120T21200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ Technologie mit weicher, schnell...
Anwendungen• hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS• unterbrechungsfreie Stromversorgung• hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil•...
HEXFET Power MOSFETApplication(s)System Load SwitchFeaturesLow RDS(on) (
-0,0125-Ohm,-SO-8-von-Infineon-2159183891.png "IRF8313PBF - Dual-MOSFET N-Ch 30V 9,7A 0,0125R, SO-8")
HEXFET Power MOSFETApplicationsLoad SwitchDC/DC ConversionBenefitsLow Gate Charge and Low RDS(on)Fully...
-0,06-Ohm,-D2Pak-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159033886.png "IRF 5210S - MOSFET, P-Ch, -100V -38A 0,06R, D2Pak")
Zu den Eigenschaften dieses Designs gehören eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 150°C, eine hohe...
-0,0118-Ohm,-D-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2158997886.png "IRFR 2405 - MOSFET, N-Ch 55V 56A 0,0118R, D-PAK")
MOSFET Transistor N-Ch 55V 56A 3-Pin(2+Tab) D-PAK
-0,0065-Ohm,-TO-220AB-von-Infineon-2159183571.png "IRL 1004 - MOSFET, N-Ch 40V 130A 0,0065R, TO-220AB")
HEXFET® Power MOSFETAdvanced Process TechnologyUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt Rating175°C Operating...
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
-0,0075-Ohm,-TO-220AB-von-Infineon-2159183574.png "IRF 1010Z - MOSFET, N-Ch 55V 94A 0,0075R, TO-220AB")
Speziell für Automobilanwendungen entwickelt,Dieser HEXFET® Power MOSFET nutzt die neuestenVerarbeitungstechniken,...
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k
-0,0049-Ohm,-TO-252AA-von-Infineon-2159184028.png "IRLR3114ZPBF - MOSFET N-LogL, 40V 42A 0,0049R, TO-252AA")
HEXFET® Power MOSFETFeaturesAdvanced Process TechnologyUltra Low On-Resistance175°C Operating TemperatureFast...
Cool MOS C6 Leistungs-MOSFETCoolMOS™ C6-Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFETs...
-0,0165-Ohm,-TO220AB-von-Infineon-2159184005.png "IRFZ44VPBF - MOSFET N-Ch 60V 55A 0,0165R, TO220AB")
IRFZ44VPbF, HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die fortschrittlichen HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von...
Typische Anwendungen• Signalverarbeitung, (Schnelles)• Schalten, Gleichrichten• Standardausführung• Suffix...
HEXFET Power MOSFETApplicationsControl MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor PowerControl...
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Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23
Der BCR405U ist ein kostengünstige LED-Treiber für Low-Power-LEDs.Die Vorteile gegenüber einem Vorwiderstand...
HEXFET Leistungs-MOSFETDieser HEXFET Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen...
-0,45-Ohm,-TO220-Fullpak-von-Infineon-2159184053.png "SPA11N80C3 - MOSFET N-Ch 800V 11A 0,45R, TO220-Fullpak")
800V CoolMOS™ C3 Power MOSFETFeatures• New revolutionary high voltage technology• Extreme dv/dt rated•...
EasyPIM™ Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTCniedrige SchaltverlusteTrench...
HEXFET® Power MOSFETApplicationBrushed motor drive applicationsBLDC motor drive applicationsBattery powered...
PNP Silicon Double TransistorTo be used as a current mirrorGood thermal coupling and VBE matchingHigh...
Dieser N-Kanal-Silizium-Gate-Leistungsfeldtransistor im Anreicherungsmodus Leistungs-Feldeffekttransistor...
HEXFET Power MOSFETApplicationsDC Motor DriveHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible...
HEXFET® Power MOSFETAdvanced Process TechnologyIsolated PackageHigh Voltage Isolation = 2.5KVRMS ?Sink...
HEXFET Leistungs-MOSFET• Lade- und Entladeschalter für Notebook-PC Akku Anwendungen
IKW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-5 FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
-0,065-Ohm,-TO-252AA-von-Infineon-2159183664.png "IRFR 5305 - MOSFET, P-Ch, -55V -31A 0,065R, TO-252AA")
HEXFET® Power MOSFETUltra Low On-ResistanceSurface Mount (IRFR5305)Straight Lead (IRFU5305)Advanced Process...
Schottky-Dioden / Hot-Carrier-Diodenauf schnelles Schalten optimiertniedriger Spannungsabfall in Dur...
HEXFET® Power MOSFETApplicationBrushed Motor drive applicationsBLDC Motor drive applicationsBattery powered...
HEXFET Leistungs-MOSFETMerkmaleVerbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-RobustheitVollständig...
HEXFET® Power MOSFETFeaturesAdvanced Process TechnologyDynamic dv/dt Rating175°C Operating TemperatureFast...
Technische Daten• revolutionäres Halbleitermaterial SiC• kein Rückwärts-/kein Vorwärts-Erholverhalten•...
BTS711L1, Intelligenter High-Side-LeistungsschalterBeschreibungN-Kanal-Vertikal-Leistungs-FET mit Ladungspumpe,...
Darlington-Transistor, PNP, 60V, 0,5A, 1W, SOT-89
Die StrongIRFET™-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert....
IGW40N60H3600V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
-0,0175-Ohm,-TO-220AB-von-Infineon-2159183669.png "IRFZ 44N - MOSFET, N-Ch 55V 49A 0,0175R, TO-220AB")
IRFZ44NPbF, HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die fortschrittlichen HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von...
MOSFET Treiber 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC
600V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance...
MOSFET Treiber 600V 0.5A 1-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC
HEXFET Leistungs-MOSFETAnwendungenLade- und Entladeschalter für BatterieanwendungenSystem-/Lastschal...
0,0011-Ohm,-TDSON-8-von-Infineon-2159184040.png "ISC011N03L5S - MOSFET, N-Ch 30V 100A RDS(on)0,0011R, TDSON-8")
Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs mit breiter Zugänglichkeit und wettbewerbsfähigem Preis-/LeistungsverhältnisMit...
HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power...
Die neue L5 IGBT-Familie von Infineon mit niedriger Sättigungsspannung (V CE(sat)) TRENCHSTOP™ IGBT-Familie...
-0,00146-Ohm,-TO-247AC-von-Infineon-2159183660.png "IRFP 4368 - MOSFET, N-Ch 75V 195A 0,00146R, TO-247AC")
HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power...
IKP20N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
MOSFET Transistor N/P-Ch 25V 3,5A/2,3ASO-8
-0,042-Ohm,-D2-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013563.png "IRF 3415S - MOSFET, N-Ch 150V 43A 0,042R, D2-PAK")
MOSFET Transistor N-Ch 150V 43A 3-Pin(2+Tab)D2-PAK
IKP40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
HEXFET® Power MOSFETFeaturesAdvanced Process TechnologyUltra Low On-Resistance175°C Operating TemperatureFast...
-0,0033-Ohm,-QFN-8-von-Infineon-2159183919.png "IRFH8324 - MOSFET, N-Ch 30V 50A 0,0033R, QFN-8")
30V Single N-Kanal StrongIRFET™ Power MOSFET in einem PQFN 5x6 GehäuseDie StrongIRFET™-Leistungs-MOSFET-Familie...
Anwendungen:• hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS• unterbrechungsfreie Stromversorgung• hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil•...
TCA 440 = A 244DDIL 16
-0,60R,-HVMDIP-4-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013610.png "IRFD 9120 - MOSFET, P-Ch, -100V -1A 0,60R, HVMDIP-4")
BESCHREIBUNGDie Power-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Konstrukteur die beste Kombination...
MOSFET Transistor N/P-Ch 30V 4A/3ASO-8
Silizium-NPN-Transistoren• Für AF-Treiber und Ausgangsstufen• Hoher Kollektorstrom• Hohe Stromverstärkung•...
-0,0031-Ohm,-TO252AA-von-Infineon-2159184032.png "IRLR8743PBF - MOSFET N-LogL, 30V 160A 0,0031R, TO252AA")
IRLR8743PbF, HEXFET Leistungs-MOSFETVorteile:• Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5V VGS• Ultra-niedrige Gate-Impedanz•...
HEXFET® Power MOSFETSurface MountAdvanced Process TechnologyUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt RatingFast...
Die fünfte Generation der HEXFETs von International Representative nutzt fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
-0,011-Ohm,-D2-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2158995997.png "IRF 1010NS - MOSFET, N-Ch 55V 85A 0,011R, D2-PAK")
MOSFET Transistor N-Ch 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2-PAK
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
-0,064-Ohm,-TO-252AA-von-Infineon-2159183964.png "IRFR4620PBF - MOSFET N-Ch 200V 24A 0,064R, TO-252AA")
HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power...
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
650V Cool MOS C7 Leistungs-MOSFETDie CoolMOS™C7-Serie bietet alle Vorteile von schnell schaltenden Superjunction-MOSFETs...
-0,00734-Ohm,-TO-251AA-von-Infineon-2159183686.png "IRFU 3607 - MOSFET, N-Ch 75V 56A 0,00734R, TO-251AA")
Anwendungen• hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS• unterbrechungsfreie Stromversorgung• hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil•...
IKP15N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
HEXFET Power MOSFETApplicationsDC Motor DriveHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible...
-0,15-Ohm,-D2-PAK-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013568.png "IRF 640NS - MOSFET, N-Ch 200V 18A 0,15R, D2-PAK")
IRF640NSPbF , HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von...
-0,28-Ohm,-TO-220-von-Infineon-2159183839.png "IPP60R280C6 - MOSFET N-Ch 600V 13,8A 0,28R, TO-220")
600V CoolMOS™ C6 Power MOSFETFeatures:Easy control of switching behaviorExtremely low losses due to very...
IKW40N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
-0,063-Ohm,-SOT-23-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013641.png "IRLML 6346 - MOSFET, N-Ch 30V 3,47A 0,063R, SOT-23")
HEXFET Leistungs-MOSFETAnwendung:• Load/ System Switch
MOSFET Transistor N-Ch 100V 88A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB
600V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance...
PNP Silizium AF Leistungstransistoren• Für AF-Treiber und Ausgangsstufen• Hoher Kollektorstrom• Hohe...
-0,027-Ohm,-TO-247-4-von-Infineon-2159183826.png "IMZA65R027M1H - SiC-MOSFET N-Ch 650V 59A 0,027R, TO-247-4")
MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power DeviceDer 650 V CoolSiC™ basiert auf der massiven Siliziumkarbid-Technologie,...
800V CoolMOS™ C3 Power MOSFETFeatures• New revolutionary high voltage technology• Extreme dv/dt rated•...
-0,0019-Ohm,-TO-220-von-INTERNATIONAL-RECTIFIER-2159013635.png "IRLB 3036 IR - MOSFET, N-Ch 60V 270A 0,0019R, TO-220")
Anwendungen• DC-Motorantrieb• hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS• Unterbrechungsfreie Stromversorgung•...
-0,0054-Ohm,-QFN-8-von-Infineon-2159184045.png "ISZ065N03L5S - MOSFET, N-Ch 30V 40A 0,0054R, QFN-8")
Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs mit breiter Zugänglichkeit und wettbewerbsfähigem Preis-/Leistungsverhältnis...
800V CoolMOS™ C3 Power MOSFETFeatures• New revolutionary high voltage technology• Extreme dv/dt rated•...
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
HEXFET Leistungs-MOSFETMerkmaleExtrem niedriger EinschaltwiderstandSchnelle SchaltungBleifrei
-0,0023-Ohm,-TO-220AB-von-Infineon-2159183624.png "IRF 3703 - MOSFET, N-Ch 30V 210A 0,0023R, TO-220AB")
Anwendungen:• Synchrone Gleichrichtung• Aktives ORing• BleifreiVorteile• Extrem niedriger Einschaltwiderstand•...
-0,011-Ohm,-TO-220AB-von-Infineon-2159183588.png "IRF 1010N - MOSFET, N-Ch 55V 85A 0,011R, TO-220AB")
Die fortschrittlichen HEXFETÆ-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
600V CoolMOS™ C6 Power MOSFETFeatures:Easy control of switching behaviorExtremely low losses due to very...
-0,00734-Ohm,-TO-220AB-von-Infineon-2159183649.png "IRFB 3607 - MOSFET, N-Ch 75V 80A 0,00734R, TO-220AB")
IRFB3607PbF , HEXFET Leistungs-MOSFETVorteil:• Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit•...
Low Side SwitchesLogic Level InputSurge temperature protectionOverload protectionShort-circuit prote...