Technik von IXYS(120 Treffer)
Technik
Produktart
Farbe
0-25 €
Preis
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesLow RDS(on)...
Details anzeigen
Fast Recovery Epitaxial Diode
Gleichrichter führender Hersteller. Bitte beachten Sie wie immer unsere umfangreiche Dokumentation, welche...
Details anzeigen
DSI30-16AS SMD-Standard-Gleichrichter-EinzeldiodeMerkmale / Vorteile:• Planar passivierte Chips• Sehr...
Thyristoren für den Betrieb an NetzspannungBei den Kunststoffgehäusen bildet die Gehäuserückseite die...
Details anzeigen
Details anzeigen
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational standard...
Details anzeigen
TrenchP Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...
The LCA110 is a 1-Form-A Solid State Relay which uses optically coupled MOSFET technology to provide...
TrenchT2 HiperFETPower MOSFETN-Channel Enhancement Mode Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesHigh...
PolarP Power MOSFETsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational standard...
Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED) zur Verwendung als FreilaufdiodeSoft-Recovery-Verhalten vermeidet...
Details anzeigen
Details anzeigen
DSI30-16A Standard-Gleichrichter-EinzeldiodeMerkmale / Vorteile:• Planar passivierte Chips• Sehr niedriger...
PolarHV HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational...
LAA110, Zweifach einpoliges OptoMOS®-RelaisBeschreibung:Das LAA110 ist ein Dual 1-Form-A Solid State...
Details anzeigen
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeFeaturesSilicon Chip on Direct-Copper Bond...
Polar HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesLow...
High Voltage Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational...
Details anzeigen
Merkmale• internationale Standardgehäuse• niedriger RDS (on) HDMOSTM-Prozess• robuste Polysilizium-Gate-Zellenstruktur•...
Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED) zur Verwendung als FreilaufdiodeSoft-Recovery-Verhalten vermeidet...
HiPerFET™ Leistungs-MOSFET stehen jetzt auch als Q-Klasse zur Verfügung. Bei dieser Reihe wurde durch...
Fast Recovery Epitaxial Diode
TrenchP Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...
Trench Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesInternational...
Details anzeigen
Details anzeigen
Details anzeigen
Eigenschaften• internationale Standard-Gehäuse• schnelle intrinsische Diode• Avalanche-Bewertung• niedriger...
Details anzeigen
Details anzeigen
Details anzeigen
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational Standard...
Details anzeigen
Power MOSFETISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast...
Fast Recovery Epitaxial Diode
Fast Recovery Epitaxial Diode
Depletion Mode MOSFETFeatures• Normally ON Mode• International Standard Packages• Molding Epoxies Meet...
Details anzeigen
Details anzeigen
Details anzeigen
Details anzeigen
Polar3TM HiperFETTMPower MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesFast...
LBA110 is 350V, 120mA, 35? independent 1-Form-A and 1-Form-B relays. It is designed to provide an ideal...
Details anzeigen
PolarP Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...
Polar HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesLow...
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesDynamic dv/dt RatingAvalanche...
Details anzeigen
Details anzeigen
Details anzeigen
Details anzeigen
Details anzeigen
Details anzeigen
HiperFETPower MOSFETsQ3-ClassN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesLow...
PolarHV HiPerFETPower MOSFETN-Channel Enhancement Mode = 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational...
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational Standard...
Details anzeigen
Details anzeigen
Details anzeigen
Fast Recovery Epitaxial Diode
Avalanchediode, FP-CASE, 1600V, 2,3AMerkmale• Kunststoff-Standardverpackung• Planare passivierte ChipsVorteile:•...
Details anzeigen
Details anzeigen
Details anzeigen
Gleichrichter führender Hersteller. Bitte beachten Sie wie immer unsere umfangreiche Dokumentation, welche...
Power MOSFETHiPerFETN-Channel Enhancement Mode = 300nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational...
Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesRugged PolarPTM...
Details anzeigen
TrenchP Power MOSFETsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...
Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED) zur Verwendung als FreilaufdiodeSoft-Recovery-Verhalten vermeidet...
Fast Recovery Epitaxial Diode
Polar2TM HiPerFETTM Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic Diode
TrenchMV Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational standard packages175°C...
The LCB110 is a 1-Form-B (normally closed) relay which uses optically coupled MOSFET technology to provide...
Polar3 HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesInternational...
Eigenschaften• schnelle intrinsische Diode• internationale Standardgehäuse• ungeklemmtes induktives Schalten...
Fast Recovery Epitaxial Diode
PolarHV HiPerFETPower MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational...
Bauform: TO-247Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Current - Continuous Drain: 50A (Tc) Vgs: +-30 VTemperaturbereich:...
TrenchT2 Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...
Fast Recovery Epitaxial Diode
IXTP80N10T, TrenchTM Leistungs-MOSFETMerkmale:• Ultra-niedriger Einschaltwiderstand• Avalanche-Bewertung•...
TrenchP Power MOSFETsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...
DSI30-12AS SMD-Standard-Gleichrichter-EinzeldiodeMerkmale / Vorteile:• Planar passivierte Chips• Sehr...
PolarHV Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational standard packagesUnclamped...
LAA110, Zweifach einpoliges OptoMOS®-RelaisBeschreibung:Das LAA110 ist ein Dual 1-Form-A Solid State...
Details anzeigen
PolarP Power MOSFET(Electrically Isolated Tab)P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesSilicon...
Hochspannungs-Hochverstärkungs-BiMOSFET Monolithischer bipolarer MOS-TransistorMerkmale:• Monolithische...
Details anzeigen
The LCA110 is a 1-Form-A Solid State Relay which uses optically coupled MOSFET technology to provide...