Heimtechnik von IXYS(112 Treffer)
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Polar3TM HiPerFET Leistungs-MOSFETN-Kanal-VerstärkungsmodusSchnelle intrinsische Diode

Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesLow RDS(on)...

Fast Recovery Epitaxial Diode

Polar Leistungs-MOSFETN-Kanal-VerstärkungsmodusSchnelle intrinsische Diode

X3-Class HiPerFET Leistungs-MOSFETN-Kanal-VerstärkungsmodusSchnelle intrinsische Diode
-von-IXYS-2159037657.png)
DSI30-16AS SMD-Standard-Gleichrichter-EinzeldiodeMerkmale / Vorteile:• Planar passivierte Chips• Sehr...

Thyristoren für den Betrieb an NetzspannungBei den Kunststoffgehäusen bildet die Gehäuserückseite die...

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TrenchP Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...

Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesSilicon Chip on Direct-Copper Bond (DCB)...

The LCA110 is a 1-Form-A Solid State Relay which uses optically coupled MOSFET technology to provide...
-0,012-Ohm,-TO-247AD-von-IXYS-2159070656.png)
TrenchT2 HiperFETPower MOSFETN-Channel Enhancement Mode Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesHigh...

PolarP Power MOSFETsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...

Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational standard...

Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED) zur Verwendung als FreilaufdiodeSoft-Recovery-Verhalten vermeidet...

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DSI30-16A Standard-Gleichrichter-EinzeldiodeMerkmale / Vorteile:• Planar passivierte Chips• Sehr niedriger...

PolarHV HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational...

LAA110, Zweifach einpoliges OptoMOS®-RelaisBeschreibung:Das LAA110 ist ein Dual 1-Form-A Solid State...
-PLUS-247-3-1200V-80A-von-IXYS-2159689331.jpg)
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Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeFeaturesSilicon Chip on Direct-Copper Bond...

Polar HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesLow...

Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED) zur Verwendung als FreilaufdiodeSoft-Recovery-Verhalten vermeidet...

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-0,23-Ohm,-TO-247-von-IXYS-2159013658.png)
HiPerFET™ Leistungs-MOSFET stehen jetzt auch als Q-Klasse zur Verfügung. Bei dieser Reihe wurde durch...

Fast Recovery Epitaxial Diode
-0,039-Ohm,-TO220AB-von-IXYS-2159129143.png)
TrenchP Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...

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-0,085-Ohm,-TO-264AA-von-IXYS-2159021462.png)
Eigenschaften• internationale Standard-Gehäuse• schnelle intrinsische Diode• Avalanche-Bewertung• niedriger...

Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational Standard...

Power MOSFETISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast...

Fast Recovery Epitaxial Diode

Fast Recovery Epitaxial Diode

Gleichrichter führender Hersteller. Bitte beachten Sie wie immer unsere umfangreiche Dokumentation, welche...

High Voltage Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational...
-0,0026-Ohm,-SOT227B-von-IXYS-2159070677.png)
Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational Standard...

Polar Leistungs-MOSFETP-Kanal Anreicherungsmodus

Polar3TM HiperFETTMPower MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesFast...

LBA110 is 350V, 120mA, 35? independent 1-Form-A and 1-Form-B relays. It is designed to provide an ideal...
-1-Ohm,-TO220AB-von-IXYS-2159070700.png)
PolarP Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...

Polar HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesLow...

Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesDynamic dv/dt RatingAvalanche...

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-0,2-Ohm,-TO-247AD-von-IXYS-2159070659.png)
HiperFETPower MOSFETsQ3-ClassN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesLow...

PolarHV HiPerFETPower MOSFETN-Channel Enhancement Mode = 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational...

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Fast Recovery Epitaxial Diode

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Avalanchediode, FP-CASE, 1600V, 2,3AMerkmale• Kunststoff-Standardverpackung• Planare passivierte ChipsVorteile:•...

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Gleichrichter führender Hersteller. Bitte beachten Sie wie immer unsere umfangreiche Dokumentation, welche...

Power MOSFETHiPerFETN-Channel Enhancement Mode = 300nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeFeaturesInternational...

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-0,013-Ohm,-TO220AB-von-IXYS-2159070711.png)
TrenchP Power MOSFETsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...

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Polar HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesInternational...

Fast Recovery Epitaxial Dioden (FRED) zur Verwendung als FreilaufdiodeSoft-Recovery-Verhalten vermeidet...

LBA110 is 350V, 120mA, 35? independent 1-Form-A and 1-Form-B relays. It is designed to provide an ideal...

Fast Recovery Epitaxial Diode

Polar2TM HiPerFETTM Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic Diode
-0,018-Ohm,-TO220AB-von-IXYS-2159070709.png)
TrenchMV Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational standard packages175°C...

The LCB110 is a 1-Form-B (normally closed) relay which uses optically coupled MOSFET technology to provide...

Polar3 HiPerFET Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesInternational...

TrenchT2 HiperFET Leistungs-MOSFETN-Kanal-VerstärkungsmodusSchnelle intrinsische Diode

Eigenschaften• schnelle intrinsische Diode• internationale Standardgehäuse• ungeklemmtes induktives Schalten...

Fast Recovery Epitaxial Diode

Bauform: TO-247Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Current - Continuous Drain: 50A (Tc) Vgs: +-30 VTemperaturbereich:...
-0,0054-Ohm,-TO-220AB-von-IXYS-2159070702.png)
TrenchT2 Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...

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Fast Recovery Epitaxial Diode
-0,014-Ohm,-TO220AB-von-IXYS-2159070710.png)
IXTP80N10T, TrenchTM Leistungs-MOSFETMerkmale:• Ultra-niedriger Einschaltwiderstand• Avalanche-Bewertung•...

TrenchP Power MOSFETsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...

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-von-IXYS-2159037665.png)
DSI30-12AS SMD-Standard-Gleichrichter-EinzeldiodeMerkmale / Vorteile:• Planar passivierte Chips• Sehr...

LAA110, Zweifach einpoliges OptoMOS®-RelaisBeschreibung:Das LAA110 ist ein Dual 1-Form-A Solid State...

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PolarP Power MOSFET(Electrically Isolated Tab)P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesSilicon...

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Hochspannungs-Hochverstärkungs-BiMOSFET Monolithischer bipolarer MOS-TransistorMerkmale:• Monolithische...
-TO-220AB-1600V-30A-von-IXYS-2159672724.jpg)
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The LCA110 is a 1-Form-A Solid State Relay which uses optically coupled MOSFET technology to provide...

Integrierte Schaltkreise führender Hersteller. Bitte beachten Sie wie immer unsere umfangreiche Dokumentation,...

Integrierte Schaltkreise führender Hersteller. Bitte beachten Sie wie immer unsere umfangreiche Dokumentation,...

PolarHVTMPower MOSFETN-Channel Enhancement ModeFast Recovery DiodeAvalanche RatedFeaturesFast Recovery...

Polar3 HiperFETPower MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierFeaturesFast...

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DSI30-12A Standard-Gleichrichter-EinzeldiodeMerkmale / Vorteile:• Planar passivierte Chips• Sehr niedriger...

TrenchP Power MOSFETP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...

TrenchP Leistungs-MOSFETP-Kanal Anreicherungsmodus
-0,065-Ohm,-TO220AB-von-IXYS-2200053719.png)
TrenchP Power MOSFETsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...

Fast Recovery Epitaxial Diode

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TrenchT2 Power MOSFETN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFeaturesInternational Standard PackagesAvalanche...