INFINEON(724 Treffer)
HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power...
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 10 k
Für Upgrades oder Erstausrüstung Mit verständlicher Einbauanleitung in deutsch und englisch Hohe Qualität...
Der TLE von Siemens ist ein bipolar und latch Hall IC Switch für magnetische Feld-Anwendungen.Gehäuse:...
5. Generation thinQ!™ SiC Schottky DiodeDie 5. Generation ThinQ!™ repräsentiert die Spitzentechnologie...
Silizium-Schottky-DiodenMerkmale:• Für verlustarme, schnell wiederherstellende, Zählerschutz, Vorspannungsisolation...
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HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power...
SIPMOS® Small-Signal-TransistorFeatures• N-channel• Depletion mode• dv /dt rated• Available with VGS(th)...
HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
HEXFET® Power MOSFETFeaturesAdvanced Process TechnologyUltra Low On-ResistanceDual N-Channel MOSFETDynamic...
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IKW25N120T21200V verlustarmes DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ Technologie mit weicher, schnell...
HEXFET Power MOSFETApplication(s)System Load SwitchFeaturesLow RDS(on) (
HEXFET Power MOSFETApplicationsLoad SwitchDC/DC ConversionBenefitsLow Gate Charge and Low RDS(on)Fully...
HEXFET® Power MOSFETAdvanced Process TechnologyUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt Rating175°C Operating...
HEXFET® Power MOSFETFeaturesIndustry-standard pinout SO-8 PackageCompatible with Existing Surface Mount...
Ein Zertifiziert und Generalüberholt Produkt wurde getestet und zertifiziert, um wie ein neuwertiges...
Speziell für Automobilanwendungen entwickelt,Dieser HEXFET® Power MOSFET nutzt die neuestenVerarbeitungstechniken,...
800V CoolMOS™ C3 Power MOSFETFeatures• New revolutionary high voltage technology• Extreme dv/dt rated•...
NPN mit Widerständen bestückter Transistor R1 = 10 kR2 = 47 k
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Verlustleistung: 83W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 2.8mΩ...
HEXFET® Power MOSFETFeaturesAdvanced Process TechnologyUltra Low On-Resistance175°C Operating TemperatureFast...
IRFZ44VPbF, HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die fortschrittlichen HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von...
Typische Anwendungen• Signalverarbeitung, (Schnelles)• Schalten, Gleichrichten• Standardausführung• Suffix...
HEXFET Power MOSFETApplicationsControl MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor PowerControl...
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Darlington-Transistor, NPN, 60V, 0,5A, 0,36W, SOT-23
Der BCR405U ist ein kostengünstige LED-Treiber für Low-Power-LEDs.Die Vorteile gegenüber einem Vorwiderstand...
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Verlustleistung: 0.175W Polarisierung: bipolar Transistor-Art: RF Transistor-Typ: NPN Gehäuse: SOT23
800V CoolMOS™ C3 Power MOSFETFeatures• New revolutionary high voltage technology• Extreme dv/dt rated•...
HEXFET® Power MOSFETApplicationBrushed motor drive applicationsBLDC motor drive applicationsBattery powered...
PNP Silicon Double TransistorTo be used as a current mirrorGood thermal coupling and VBE matchingHigh...
HEXFET Power MOSFETApplicationsDC Motor DriveHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible...
HEXFET® Power MOSFETAdvanced Process TechnologyIsolated PackageHigh Voltage Isolation = 2.5KVRMS ?Sink...
IKW50N65F5650V Hochgeschwindigkeits-5 FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
HEXFET® Power MOSFETUltra Low On-ResistanceSurface Mount (IRFR5305)Straight Lead (IRFU5305)Advanced Process...
HEXFET® Power MOSFETApplicationBrushed Motor drive applicationsBLDC Motor drive applicationsBattery powered...
HEXFET® Power MOSFETFeaturesAdvanced Process TechnologyDynamic dv/dt Rating175°C Operating TemperatureFast...
Technische Daten• revolutionäres Halbleitermaterial SiC• kein Rückwärts-/kein Vorwärts-Erholverhalten•...
Uces 600 V, Ics25 80 A, Icpuls 160 A, Ptot 306 W, Ugeth 4,1 V, tdon 19 ns, tdoff 197 ns, TO-247. Technische...
BTS711L1, Intelligenter High-Side-LeistungsschalterBeschreibungN-Kanal-Vertikal-Leistungs-FET mit Ladungspumpe,...
Darlington-Transistor, PNP, 60V, 0,5A, 1W, SOT-89
Die StrongIRFET™-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert....
IGW40N60H3600V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-TechnologieMerkmale und...
IRFZ44NPbF, HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Die fortschrittlichen HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von...
MOSFET Treiber 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC
600V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance...
Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs mit breiter Zugänglichkeit und wettbewerbsfähigem Preis-/LeistungsverhältnisMit...
HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power...
HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power...
IKP20N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
IKP40N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
HEXFET® Power MOSFETFeaturesAdvanced Process TechnologyUltra Low On-Resistance175°C Operating TemperatureFast...
30V Single N-Kanal StrongIRFET™ Power MOSFET in einem PQFN 5x6 GehäuseDie StrongIRFET™-Leistungs-MOSFET-Familie...
Anwendungen:• hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS• unterbrechungsfreie Stromversorgung• hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil•...
TCA 440 = A 244DDIL 16
Verlustleistung: 66W Gehäuse: PG-TDSON-8 Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 12.3mΩ...
Gate-Source Spannung: ±20V Widerstand im Leitungszustand: 3.7mΩ Montage: THT Verpackungs-Art: Tube Kanal-Art:...
Silizium-NPN-Transistoren• Für AF-Treiber und Ausgangsstufen• Hoher Kollektorstrom• Hohe Stromverstärkung•...
IRLR8743PbF, HEXFET Leistungs-MOSFETVorteile:• Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5V VGS• Ultra-niedrige Gate-Impedanz•...
HEXFET® Power MOSFETSurface MountAdvanced Process TechnologyUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt RatingFast...
HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power...
Anwendungen• hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS• unterbrechungsfreie Stromversorgung• hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil•...
IKP15N65F5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack FAST IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in...
HEXFET Power MOSFETApplicationsDC Motor DriveHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible...
600V CoolMOS™ C6 Power MOSFETFeatures:Easy control of switching behaviorExtremely low losses due to very...
IKW40N65H5650V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 Technologie in Kombination...
650V CoolMOS™ C6 Power MOSFETFeatures:Easy control of switching behaviorExtremely low losses due to very...
MOSFET Transistor N-Ch 100V 88A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB
600V CoolMOS™ C7 Power MOSFETFeatures• Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance...
PNP Silizium AF Leistungstransistoren• Für AF-Treiber und Ausgangsstufen• Hoher Kollektorstrom• Hohe...
MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power DeviceDer 650 V CoolSiC™ basiert auf der massiven Siliziumkarbid-Technologie,...
Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs mit breiter Zugänglichkeit und wettbewerbsfähigem Preis-/Leistungsverhältnis...
800V CoolMOS™ C3 Power MOSFETFeatures• New revolutionary high voltage technology• Extreme dv/dt rated•...
Anwendungen:• Synchrone Gleichrichtung• Aktives ORing• BleifreiVorteile• Extrem niedriger Einschaltwiderstand•...
Die fortschrittlichen HEXFETÆ-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken,...
600V CoolMOS™ C6 Power MOSFETFeatures:Easy control of switching behaviorExtremely low losses due to very...
IRFB3607PbF , HEXFET Leistungs-MOSFETVorteil:• Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit•...
Low Side SwitchesLogic Level InputSurge temperature protectionOverload protectionShort-circuit prote...
600V CoolMOS™ P6 Power MOSFETFeatures• Increased MOSFET dv/dt ruggedness• Extremely low losses due to...
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HEXFET Power MOSFETUltra Low ON-ResistanceSurface MountFast SwitchingFully Avalanche RatedLead Free
600V CoolMOS™ C6 Power MOSFETFeatures:Easy control of switching behaviorExtremely low losses due to very...
HEXFET Power MOSFETApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in SMPSUninterruptible Power...
HEXFET Power MOSFETApplicationsMotion Control ApplicationsHigh Efficiency Synchronous Rectification in...
IKW40N120H31200V Hochgeschwindigkeits-DuoPack IGBT und Diode : IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie...
IGW50N65H5650V Hochgeschwindigkeits-IGBT : IGBT in TRENCHSTOP™ 5 TechnologieMerkmale und Vorteile:• Hochgeschwindigkeits-H5...
Speziell für Automotive-Anwendungen entwickelt, ID = 75A.Dieser HEXFET® Power MOSFET nutzt die neuesten...
Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs mit breiter Zugänglichkeit und wettbewerbsfähigem Preis-/LeistungsverhältnisMit...
HEXFET® Power MOSFETApplicationBrushed Motor drive applicationsBLDC Motor drive applicationsBattery powered...
Anwendungen:• hocheffiziente Synchrongleichrichtung in SMPS• unterbrechungsfreie Stromversorgung• hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteil•...
MOSFET Transistor N-Ch 30V 20A SO-8
IRF5210S , HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibungDieses Design zeichnet sich durch eine Sperrschicht-Betriebstemperatur...
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