Aktive Bauelemente von INCHANGE(33 Treffer)
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Aktive Bauelemente
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Transistor NPN-Darl TO-3PN 100V 10A 125W

Beschreibung• Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung - : V(BR)CEO= 120V(Min) • hohe DC-Stromverstärkung...

INCHANGE Semiconductor Silicon PNP Darlington Power TransistorBeschreibung:· Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung...-...

Komplementärer Silizium-Leistungs-Darlington-TransistorBeschreibung:Die TIP110 und TIP112 sind NPN-Transistoren...

Gehäuse: TO-220= BDX 34D

Der TIP142 ist ein NPN-Leistungstransistor mit Epitaxiesockel Leistungs-Transistor in monolithischer...

Gehäuse: TO-3PN

Beschreibung• mit TO-3-Gehäuse• DARLINGTON• HochstromAnwendungenEntwickelt für Leistungsverstärkung und...

Beschreibung• mit TO-3PN-Gehäuse • Ergänzung zum Typ BDV65/65A/65B/65C • DARLINGTON• hohe DC-Stromverstärkung...

Beschreibung• mit TO-3-Gehäuse• DARLINGTON• HochstromAnwendungenEntwickelt für Leistungsverstärkung und...

Beschreibung• mit TO-220C-Gehäuse • ergänzung zu Typ BD645/647/649/651 • DARLINGTONAnwendungenfür den...

Beschreibung• mit TO-220C-Gehäuse• Ergänzung zum Typ BD896/898/900/902• DARLINGTONAnwendungfür den Einsatz...

Beschreibung• mit TO-3-Gehäuse • DARLINGTON • hohe DC-Stromverstärkung • Ergänzung zum Typ MJ2500/2501Anwendungen•...

Beschreibung• mit TO-220C-Gehäuse• ergänzend zum Typ BD644• DarlingtonAnwendungenfür den Einsatz in Ausgangsstufen...

Beschreibung• Kollektor-Emitter-Haltespannung - : VCEO(SUS)= 250V (Min.) • hohe DC-Stromverstärkung -...

Beschreibung• Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung - : V(BR)CEO= 80V(Min) • hohe DC-Stromverstärkung...

Beschreibung• mit TO-3PN-Gehäuse• Ergänzung zum Typ BDW84/84A/84B/84C/84D• DARLINGTON• hohe DC-StromverstärkungAnwendungenfür...

Beschreibung• mit TO-220C-Gehäuse• Ergänzung zum Typ BD896/898/900/902• DARLINGTONAnwendungfür den Einsatz...

Beschreibung• mit TO-3-Gehäuse • entsprechend der Ergänzung zum Typ MJ4035 • DARLINGTON • hohe DC-StromverstärkungAnwendungen•...

Gehäuse: TO-220

Beschreibung• Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung - : V(BR)CEO= 100V(Min) • hohe DC-Stromverstärkung...

Gehäuse: TO-220

Beschreibung• mit TO-220C-Gehäuse • DARLINGTON • Kollektor-Sättigungsspannung • Ergänzung zum Typ TIP135/136/137Anwendungen•...

Der TIP142 ist ein NPN-Leistungstransistor mit Epitaxiesockel Leistungs-Transistor in monolithischer...

Beschreibung• mit TO-3PN-Gehäuse • DARLINGTON • 10A Nennstrom des Kollektors im DauerbetriebAnwendungen•...

Eigenschaften• mit TO-220F-Gehäuse • DARLINGTON • Hochspannungs-Hochstrom-Bauteil für schnelle Schal...

INCHANGE Semiconductor Silicon NPN Darlington Power TransistorBeschreibung:· Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung-...

Beschreibung• mit TO-3PN-Gehäuse• Ergänzung zum Typ BDW84/84A/84B/84C/84D• DARLINGTON• hohe DC-StromverstärkungAnwendungenfür...

HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORSFEATURES:NPN TRANSISTORSHIGH VOLTAGE CAPABILITYMINIMUM LOT-TO-LOT...

Beschreibung• mit TO-3-Gehäuse • DARLINGTON • hohe DC-Stromverstärkung • Ergänzung zum Typ MJ3000/3001Anwendungen•...

Beschreibung• mit TO-220C-Gehäuse • Ergänzung zu Typ BD645/647/649/651• DARLINGTON Anwendungenfür den...

Transistor NPN-Darl TO-3 120V 50A 300W

Beschreibung• mit TO-220C-Gehäuse• ergänzend zum Typ BD644• DarlingtonAnwendungenfür den Einsatz in Ausgangsstufen...