IRFR 120N - MOSFET, N-CH, 100V, 9,4A, 48W, TO-252AA

Produktbeschreibung

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Kombination mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-Park ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlussdrähten (Serie IRFU) ist für Anwendungen mit Durchsteckmontage vorgesehen. Bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage sind Verlustleistungen bis zu 1,5 Watt möglich.Eigenschaften• extrem niedriger Durchlasswiderstand• Oberflächenmontage (IRFR024N)• gerader Anschluss (IRFU024N)• fortschrittliche Prozesstechnologie• schnelles Schalten• vollständig Avalanche-geeignet• bleifrei