IRF7503TRPBF - MOSFET, 2xN-Ch 30V 2,4A 0,135R, Micro8,

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Produktbeschreibung

HEXFET Leistungs-MOSFETDieser HEXFET Power MOSFET nutzt die fortschrittlichen Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind hohe Schaltgeschwindigkeit. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für eine Vielzahl von Anwendungen.MerkmaleFortschrittliche ProzesstechnologieExtrem niedriger EinschaltwiderstandDual-Kanal MOSFETNiedriges ProfilErhältlich in Tape & ReelSchnelles SchaltenBleifrei