IRF 7314 - Dual-MOSFET, P-Kanal, -20 V, -5,3 A, Rds(on) 0,049 Ohm, SO-8

Produktbeschreibung

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.Der SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leadframe für verbesserte thermische Eigenschaften modifiziert, wodurch er sich ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen eignet. Dank dieser Verbesserungen können mehrere Bauelemente in einer Anwendung eingesetzt werden, wobei der Platz auf der Leiterplatte drastisch reduziert wird. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt.Eigenschaften• Technologie der Generation V• extrem niedriger On-Widerstand• Oberflächenmontage• bleifrei• vollständig avalanche-reated