BFP 640 SMD - HF-Bipolartransistor, NPN, 4V, 0,05A, 0,185W, SOT-343R

Produktbeschreibung

Trans RF BJT NPN 4V 0.05A 200mWDer BFP640 ist ein linearer, sehr rauscharmer, breitbandiger bipolarer NPN-HF-Transistor. Der Baustein basiert auf Infineons zuverlässigen Silizium-Germanium-Kohlenstoff (SiGe:C) Heterojunction-Bipolartechnologie von Infineon. Das Kollektordesign unterstützt Spannungen bis zu VCE = 4,1 V und Ströme bis zu IC = 50 mA. Mit seiner hohen Linearität bei Strömen von nur 10 mA (siehe Abb. 5-8) unterstützt der Baustein energieeffiziente Designs. Die typische Übergangsfrequenz beträgt etwa 40 GHz, daher bietet der Baustein eine hohe Leistungsverstärkung bei Frequenzen bis zu 8 GHz in Verstärkeranwendungen. Der Baustein ist in einem einfach zu handhabenden Kunststoffgehäuse mit sichtbaren Anschlüssen untergebracht.