Freizeit & Bauelemente von INCHANGE(32 Treffer)
Freizeit & Bauelemente
Produktart
Variante
Sonstige
Farbe
Preis
Transistor NPN-Darl TO-3PN 100V 10A 125W
Diese Herstellungshinweise gelten für alle MEMS-basierten Silizium-Timing-Produkte von SiTime im Quad,...
Beschreibung• Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung - : V(BR)CEO= 120V(Min) • hohe DC-Stromverstärkung...
INCHANGE Semiconductor Silicon PNP Darlington Power TransistorBeschreibung:· Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung...-...
Komplementärer Silizium-Leistungs-Darlington-TransistorBeschreibung:Die TIP110 und TIP112 sind NPN-Transistoren...
Der TIP142 ist ein NPN-Leistungstransistor mit Epitaxiesockel Leistungs-Transistor in monolithischer...
Beschreibung• Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung - : V(BR)CEO= 100V(Min) • hohe DC-Stromverstärkung...
Beschreibung• mit TO-3PN-Gehäuse • Ergänzung zum Typ BDV65/65A/65B/65C • DARLINGTON• hohe DC-Stromverstärkung...
Beschreibung• mit TO-3-Gehäuse• DARLINGTON• HochstromAnwendungenEntwickelt für Leistungsverstärkung und...
Beschreibung• mit TO-220C-Gehäuse • ergänzung zu Typ BD645/647/649/651 • DARLINGTONAnwendungenfür den...
Beschreibung• mit TO-3-Gehäuse • DARLINGTON • hohe DC-Stromverstärkung • Ergänzung zum Typ MJ2500/2501Anwendungen•...
Beschreibung• mit TO-220C-Gehäuse• ergänzend zum Typ BD644• DarlingtonAnwendungenfür den Einsatz in Ausgangsstufen...
Beschreibung• Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung - : V(BR)CEO= 80V(Min) • hohe DC-Stromverstärkung...
Beschreibung• mit TO-3PN-Gehäuse• Ergänzung zum Typ BDW84/84A/84B/84C/84D• DARLINGTON• hohe DC-StromverstärkungAnwendungenfür...
Beschreibung• mit TO-220C-Gehäuse• Ergänzung zum Typ BD896/898/900/902• DARLINGTONAnwendungfür den Einsatz...
Gehäuse: TO-220
Leistungstransistor BD241C, NPN, 100V, 3A, 40W, TO220
Transistor PNP-Darl TO-3PN 120V 15A 150W
Merkmale• hohe DC-Stromverstärkung - HFE = 1000 (min) @ 5 Adc• monolithischer Aufbau mit eingebauten...
Beschreibung• mit TO-220C-Gehäuse • DARLINGTON • Kollektor-Sättigungsspannung • Ergänzung zum Typ TIP135/136/137Anwendungen•...
INCHANGE Semiconductor Silicon NPN Darlington Power TransistorBeschreibung:· Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung-...
Transistor NPN-Darl+Dio TO-220 400V 8A
Beschreibung• mit TO-3PN-Gehäuse• Ergänzung zum Typ BDW84/84A/84B/84C/84D• DARLINGTON• hohe DC-StromverstärkungAnwendungenfür...
HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTORSFEATURES:NPN TRANSISTORSHIGH VOLTAGE CAPABILITYMINIMUM LOT-TO-LOT...
Beschreibung• mit TO-3-Gehäuse • DARLINGTON • hohe DC-Stromverstärkung • Ergänzung zum Typ MJ3000/3001Anwendungen•...
Beschreibung• mit TO-220C-Gehäuse • Ergänzung zu Typ BD645/647/649/651• DARLINGTON Anwendungenfür den...
Beschreibung• Kollektor-Emitter-Haltespannung - : VCEO(SUS)= 250V (Min.) • hohe DC-Stromverstärkung -...
Transistor NPN-Darl TO-3 120V 50A 300W
Beschreibung• mit TO-3-Gehäuse• DARLINGTON• HochstromAnwendungenEntwickelt für Leistungsverstärkung und...
Beschreibung• mit TO-220C-Gehäuse • DARLINGTON • hohe DC-Stromverstärkung• Ergänzung zum Typ TIP145/146/147Anwendungen•...
Gehäuse: TO-220
Beschreibung• mit TO-220C-Gehäuse• ergänzend zum Typ BD644• DarlingtonAnwendungenfür den Einsatz in Ausgangsstufen...