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Samsung Semiconductor DRAM 8GB Samsung DDR3-1600 CL11 (512Mx8) ECC DR LV (1,35V) (M391B1G73QH0-YK0)

Samsung Semiconductor DRAM 8GB Samsung DDR3-1600 CL11 (512Mx8) ECC DR LV (1,35V) (M391B1G73QH0-YK0) von Samsung
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Produktbeschreibung

Beschreibung Samsung Semiconductor DRAM 8GB Samsung DDR3-1600 CL11 (512Mx8) ECC DR LV (1,35V) (M391B1G73QH0-YK0) Features Chiphersteller:Samsung Chiporganisation:512Mx8 Datenintegritätsprüfung:ECC Form Faktor:Long DIMM 240pin Geschwindigkeit:1600 MHz (PC3-12800) Jedec-Norm:Jedec Norm Kapazität:8GB Latenzzeit:CL9 Modulhersteller:Samsung Modulkonfiguration:1Gx72 Modulmaße:133,35 x 30 x 4 mm RAM-Merkmale:unbuffered Technologie:DDR3 SDRAM Typ:Workstationspeicher Versorgungsspannung: 1.35 V