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SI2308BDS-T1-GE3 - MOSFET N-Ch 60V 1,9A 0,13R, SOT-23

SI2308BDS-T1-GE3 - MOSFET N-Ch 60V 1,9A 0,13R, SOT-23 von Vishay

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Produktbeschreibung

N-Kanal 60 V (D-S) MOSFETMerkmale:• Halogenfrei nach IEC 61249-2-21 erhältlich• TrenchFET® Leistungs-MOSFET• 100 % Rg und UIS-geprüft• Materialkategorisierung: für Definitionen der Konformität siehewww.vishay.com/doc?99912Anwendungen:• Batterie-Schalter• DC/DC-Wandler

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