MJE 13009 - HF-Bipolartransistor, NPN, 400V, 12A, 100W, TO-220AB
Produktbeschreibung
Der Baustein wird in Hochspannungs-Multi-Epitaxie-Planar-Technologie für hohe Schaltgeschwindigkeiten und Hochspannungsfähigkeit. Es verwendet eine hohle Emitterstruktur zur Verbesserung Schaltgeschwindigkeiten.Merkmale• geringe Streuung der dynamischen Parameter• hohe Spannungsfestigkeit• minimale Streuung von Los zu Los für zuverlässigen Betrieb• sehr hohe SchaltgeschwindigkeitAnwendungen• getaktete Stromversorgungen