AS4C8M16SA-6TCN - DRAM, 128 Mb, 8Mx16, 3,3V, TSSOP-II-56

Produktbeschreibung

128M - 8M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)Der 128Mb SDRAM ist ein synchroner Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAM mit 128 Mbits. Er ist intern als 4 Bänke von 2M word x 16 DRAM mit einer synchronen Schnittstelle konfiguriert (alle Signale werden an der positiven Flanke des Taktsignals CLK registriert). Lese- und Schreibzugriffe auf den SDRAM sind burstorientiert; die Zugriffe beginnen an einer ausgewählten Stelle und werden für eine programmierte Anzahl von Stellen in einer programmierten Reihenfolge fortgesetzt. Die Zugriffe beginnen mit der Registrierung eines BankActivate-Befehls, dem dann ein Lese- oder Schreibbefehl folgt.Der SDRAM ermöglicht programmierbare Lese- oder Schreib-Burst-Längen von 1, 2, 4, 8 oder einer ganzen Seite, mit einer Burst-Abschlussoption. Eine Auto-Precharge-Funktion kann aktiviert werden, um eine selbstgetaktete Zeilenvorladung zu ermöglichen, die am Ende der Burst-Sequenz eingeleitet wird. Die Auffrischungsfunktionen, entweder Auto oder Self Refresh, sind einfach zu bedienen.Durch ein programmierbares Modusregister kann das System die am besten geeigneten Modi wählen, um seine Leistung zu maximieren. Diese Bausteine eignen sich gut für Anwendungen, die eine hohe Speicherbandbreite erfordern, und sind besonders gut für Hochleistungs-PC-Anwendungen geeignet.