ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Antal kanaler 1 NPN - Darlington
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Bestell-Einheit: Jeder Transistor Polarität: NPN Kollektor Emitter Spannung V (BR) CEO: 120 V Übergangsfrequenz...
Bestell-Einheit: Jeder Transistor Polarität: NPN Kollektor Emitter Spannung V (BR) CEO: 120 V Übergangsfrequenz FT: – Verlustleistung PD: 200 W DC Kollektorstrom: 30 A DC Stromverstärkung hFE: 1000 transistorgehäusestil: to-204aa Anzahl der Pins: 2PINS maximale Betriebstemperatur: 200 °C MSL – SVHC: kein SVHC (17-dec-2015)
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