IXDH 20N120D1 - IGBT-Transistor, N-CH, 1200V, 30A, 200W, TO-247

Produktbeschreibung

Hochspannungs-IGBT mit optionaler Diode• NPT-IGBT-Technologie• niedrige Sättigungsspannung• geringe Schaltverluste• quadratischer RBSOA, kein Latch-up• hohe Kurzschlussfestigkeit• positiver Temperaturkoeffizient für einfache Parallelisierung• MOS-Eingang, spannungsgesteuert• optionale ultraschnelle Diode• Internationales StandardgehäuseTypische Anwendungen• Drehzahlregelung von AC-Motoren• DC-Servo- und Roboterantriebe• DC-Zerhacker• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)• Schaltnetzteile und ResonanznetzteileVorteile• hohe Leistungsdichte• Platzersparnis