BD 649 - Darlington-Transistor, NPN, 100V, 8A, 62,5W, TO-220
Produktbeschreibung
Beschreibung• Kollektor-Emitter-Durchbruchsspannung - : V(BR)CEO= 100V(Min) • hohe DC-Stromverstärkung - : hFE= 750(Min) @IC= 3A • niedrige Sättigungsspannung • Ergänzung zu Typ BD650 Anwendungenentwickelt für den Einsatz als komplementäre AF-Push-Pull-Ausgangs stufen-Anwendungen