RAKSTORE MB85RC256V FRAM Breakout Board Memory IC Entwicklungswerkzeug für IoT Sensor tragbares tragbares tragbares Gerät nicht flüchtig

Produktbeschreibung

FRAM ist nicht flüchtig und kann problemlos 10 Billionen gelesen/geschrieben werden. Es ist ähnlich wie Dynamic Random Access Memory (DRAM), mit einer ferroelektrischen Schicht anstelle einer dielektrischen Schicht. Es eignet sich besonders für den Einsatz mit Low Power Datenloggern und zum Puffern von Daten bei Abwesenheit einer stabilen Spannungsquelle. Der verwendete FRAM-Chip bietet 8 KB Speicher und verwendet eine Uhr bis zu 20 MHz. Jedes Byte kann sofort gelesen und geschrieben werden, hält aber 95 Jahre bei Raumtemperatur.